一种Micro-LED芯片结构和制备方法

    公开(公告)号:CN113130528B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202110401429.1

    申请日:2021-04-14

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 吴俊 王鸣昕

    Abstract: 本发明涉及LED制造技术领域,尤其涉及一种Micro‑LED芯片结构和制备方法,一种Micro‑LED芯片结构包括Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块,所述Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块均位于同一衬底上。本发明在避免了转移和键合的情况下,完成了Micro‑Led芯片的制备,过程简单、成本低廉。

    一种栅极全环绕垂直晶体管器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119208378A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411331787.X

    申请日:2024-09-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种栅极全环绕垂直晶体管器件,包括:半导体衬底、第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极和栅极;第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极从上到下依次堆叠在半导体衬底上表面;栅极覆盖在第一源极/漏极上表面、以及环绕在第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极的侧面。与传统水平沟道的晶体管结构相比,本发明器件的沟道电流方向是垂直于衬底方向的,在器件结构设计时,沟道长度膜厚来控制,不受曝光精度的影响;通过垂直结构,源漏接触区的面积更容易控制,能够实现更低的接触电阻,减少寄生效应。同时本方案的栅极结构对沟道全面包围,分布的电场对沟道各个角度覆盖更加全面,增强了沟道的控制能力。

    一种Micro-LED芯片结构和制备方法

    公开(公告)号:CN113130528A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110401429.1

    申请日:2021-04-14

    Applicant: 东南大学

    Inventor: 吴俊 王鸣昕

    Abstract: 本发明涉及LED制造技术领域,尤其涉及一种Micro‑LED芯片结构和制备方法,一种Micro‑LED芯片结构包括Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块,所述Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块均位于同一衬底上。本发明在避免了转移和键合的情况下,完成了Micro‑Led芯片的制备,过程简单、成本低廉。

    记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络

    公开(公告)号:CN119312856A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411452321.5

    申请日:2024-10-17

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络,涉及模拟数字电路技术领域。本发明包括七个晶体管、电容、六个信号输入端及输出端Output,七个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管。本发明的神经电路通过集成长期记忆功能和多模态信号处理能力,能够有效处理光、压力和化学信号,使其适应多种应用场景,突破了传统方案对电信号的依赖,通过直接接收和处理多种类型的输入信号,电路实现了更高的灵活性和适应性,除此之外,该电路模拟了神经元的行为与特征,具备高效的信号处理和记忆功能,通过实现突触可塑性和长时程增强等机制进行长期记忆存储,使信息处理更加稳定和可靠。

Patent Agency Ranking