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公开(公告)号：CN113130528B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202110401429.1
申请日：2021-04-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及LED制造技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED芯片结构和制备方法，一种Micro‑LED芯片结构包括Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块，所述Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块均位于同一衬底上。本发明在避免了转移和键合的情况下，完成了Micro‑Led芯片的制备，过程简单、成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119208378A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411331787.X
申请日：2024-09-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种栅极全环绕垂直晶体管器件，包括：半导体衬底、第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极和栅极；第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极从上到下依次堆叠在半导体衬底上表面；栅极覆盖在第一源极/漏极上表面、以及环绕在第一源极/漏极、沟道、第二源极/漏极的侧面。与传统水平沟道的晶体管结构相比，本发明器件的沟道电流方向是垂直于衬底方向的，在器件结构设计时，沟道长度膜厚来控制，不受曝光精度的影响；通过垂直结构，源漏接触区的面积更容易控制，能够实现更低的接触电阻，减少寄生效应。同时本方案的栅极结构对沟道全面包围，分布的电场对沟道各个角度覆盖更加全面，增强了沟道的控制能力。
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公开(公告)号：CN113504650B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110794238.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种用于隐形眼镜显示器的光学调制层结构，包括依次设置的准直器、偏振器、1/4波片和超构透镜；所述准直器仅允许与准直器表面垂直的光线通过；所述偏振器和1/4波片用于将经过准直器准直后的光线调制成圆偏光；所述超构透镜用于使光线方向偏转后直接穿过晶状体光心，最终成像在视网膜上。
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公开(公告)号：CN113130528A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110401429.1
申请日：2021-04-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及LED制造技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED芯片结构和制备方法，一种Micro‑LED芯片结构包括Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块，所述Micro‑LED发光点阵、驱动模块、电源模块、通信模块和时序控制模块均位于同一衬底上。本发明在避免了转移和键合的情况下，完成了Micro‑Led芯片的制备，过程简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN119312856A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411452321.5
申请日：2024-10-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络，涉及模拟数字电路技术领域。本发明包括七个晶体管、电容、六个信号输入端及输出端Output，七个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管。本发明的神经电路通过集成长期记忆功能和多模态信号处理能力，能够有效处理光、压力和化学信号，使其适应多种应用场景，突破了传统方案对电信号的依赖，通过直接接收和处理多种类型的输入信号，电路实现了更高的灵活性和适应性，除此之外，该电路模拟了神经元的行为与特征，具备高效的信号处理和记忆功能，通过实现突触可塑性和长时程增强等机制进行长期记忆存储，使信息处理更加稳定和可靠。
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公开(公告)号：CN113504650A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110794238.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种用于隐形眼镜显示器的光学调制层结构，包括依次设置的准直器、偏振器、1/4波片和超构透镜；所述准直器仅允许与准直器表面垂直的光线通过；所述偏振器和1/4波片用于将经过准直器准直后的光线调制成圆偏光；所述超构透镜用于使光线方向偏转后直接穿过晶状体光心，最终成像在视网膜上。
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