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公开(公告)号：CN119312856A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411452321.5
申请日：2024-10-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了记忆神经电路、神经电路阵列及记忆神经网络，涉及模拟数字电路技术领域。本发明包括七个晶体管、电容、六个信号输入端及输出端Output，七个晶体管分别为第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管。本发明的神经电路通过集成长期记忆功能和多模态信号处理能力，能够有效处理光、压力和化学信号，使其适应多种应用场景，突破了传统方案对电信号的依赖，通过直接接收和处理多种类型的输入信号，电路实现了更高的灵活性和适应性，除此之外，该电路模拟了神经元的行为与特征，具备高效的信号处理和记忆功能，通过实现突触可塑性和长时程增强等机制进行长期记忆存储，使信息处理更加稳定和可靠。
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