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公开(公告)号：CN117975135A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410135709.6
申请日：2024-01-31
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开一种基于深度学习PID优化器的图像分类方法，针对模型内的不同层子网络使用生成算法自适应生成各自的KP,KI和KD系数；在内环使用PID优化器更新模型内环可学习参数，在外环使用Adam优化器更新模型外环可学习参数。本发明的基于深度学习PID优化器的图像分类方法，采用了基于PID优化器的图像分类方法解决了现有图像分类任务效率慢精度低的问题，采用了生成算法自适应生成模型各层子网络的KP,KI和KD系数，解决PID控制算法中的人工调节参数的问题，具有更强的自适应能力和更高的识别精度，能快速适应新的任务。
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公开(公告)号：CN119990224A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510062035.6
申请日：2025-01-15
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06V10/776 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06V10/764
Abstract: 本发明公开了一种DNA损伤修复机制启发的自发育神经网络设计方法及存储介质，包括选择神经网络模型并定义其超参数，获取图像数据集，并划分为训练集、验证集和测试集，以形成序列任务；基于训练集中第一个任务数据来训练神经网络模型；基于验证集中第一个任务数据来测试训练好的神经网络模型；从宽度和深度方向上对神经网络模型进行自发育生长，增大神经网络模型的规模；重复上述训练和测试过程，并判断是否需要进一步增大神经网络模型规模，若停止增长，则获取模型基于测试集中任务数据的分类精度；重复上述过程，直到测试集上所有任务数据都测试完成。本发明通过在训练过程中动态调整神经网络模型的规模，并生长新的神经元以应对不断变化的任务和环境，从而推动神经网络在图像分类任务中的智能发展及其在实际应用。
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公开(公告)号：CN117293215A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311167162.X
申请日：2023-09-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的红外探测器及其制备方法，包括上下正对的两个腔体，上方腔体的底部设置具有光磁电效应的半导体材料形成的红外探测层，并在上方腔体顶部设有只允许特定波长的红外光透过并入射到红外探测层的超表面层，同时实现了对外界的杂散光源隔离和热隔离，有效提高了红外探测器的抗干扰能力。同时，两个腔体可以平衡红外探测层下两侧的压强，防止红外探测层因形变导致输出漂移，进一步提高光电探测器的灵敏度和抗干扰能力。本发明利用光磁电效应探测红外光信号，可以直接输出电压信号，无需外部供能，也无需制冷，同时本发明的红外探测器的制备过程完全兼容MEMS工艺，因此兼具低功耗和高集成度的特点。
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公开(公告)号：CN112271105B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011537051.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热保护器及其制备方法，包括第一衬底；第二衬底；在第一衬底上表面形成的开放腔、悬臂梁、第一绝缘层和第二绝缘层；第一电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的中部；第二电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的悬空端；第三电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的固定端。本发明的MEMS热保护器，通过使用MEMS体加工和键合工艺，以及设置开放腔、悬臂梁、第一电极、第二电极和第三电极，从而设计出一种具有实时在线质量监测、额定电流可调控的MEMS热保护器，以提高电路或系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN112284578A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011597567.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器，包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、第一钝化层、电极层、第二钝化层。压敏电阻位于埋氧层上表面，第一钝化层为位于埋氧层上表面的长方体壳体，长方体壳体的顶部中央设有通孔，第一钝化层盖合在压敏电阻上，与压敏电阻之间的空隙构成隔离腔。电极层位于第一钝化层的上表面，并通过通孔与压敏电阻连接。第二钝化层位于电极层的上表面。通过设置隔开的钝化层，有效抑制钝化层中缺陷及其电荷俘获造成的压敏电阻性能漂移，从而提高传感器的长期稳定性，同时缓解钝化层与压敏电阻之间的材料特性失配引起的稳定性问题以及抑制环境气氛和辐照等对压敏电阻性能的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105855765B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610482588.8
申请日：2016-06-23
Applicant: 东南大学 , 广州瑞松北斗汽车装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种精定位抓手的定位切换平台，用于汽车车身焊接生产线的汽车零部件的定位与切换，安装在汽车车身焊接生产线的第一工位上，包括框架机构，驱动框架机构在滑轨滑动；框架机构1的顶端设有基准销定位机构，用于与精定位抓手机构的定位基准销进行配合，基座上安装有切换机构，包括底板，底板上设有三个连接板，连接板上分别固定有行程开关安装座，每个行程开关安装座上分别设有行程开关；所述框架机构上设有连接杆，连接杆的末端安装有与行程开关配合的挡块；挡块碰触行程开关，给出框架机构到达指定位置的信号。本发明为汽车车身焊接生产线中的一个重要机构，用于与后围板工件专用抓手进行配合，实现了汽车后围板工件定位切换机构。
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公开(公告)号：CN119797774A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411787548.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 东南大学
IPC: C03C17/36 , H01M10/42 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种用于制备全固态薄膜储能器件的界面改性方法，属于储能器件制备领域。该方法通过氧等离子体处理在锂磷氧氮化物表面形成磷酸锂/氧化锂复合膜作为锂磷氧氮化物/阳极界面之间的缓冲层，有效降低了锂磷氧氮化物的界面阻抗，并抑制了电子在电解质之间的传输。与磷酸锂或氧化锂等单一缓冲层相比，氧等离子体处理工艺可以一步生成复合缓冲层，工艺简单，而且生成的复合缓冲层借鉴了磷酸锂和氧化锂二者的优点，规避了二者的缺点，该复合缓冲层具有高锂离子电导率、高化学稳定性、高机械性能、低电子电导率等优点。
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公开(公告)号：CN118392382A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410867038.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该传感器包括三层压敏薄膜，中间层厚度大于顶层压敏薄膜厚度，每层压敏薄膜的上表面分别设有压敏电阻；顶层与中间层压敏薄膜之间为气体缓冲腔，中间层与底层压敏薄膜以及底层压敏薄膜与传感器的底部衬底之间分别设置真空腔，三层压敏薄膜与气体缓冲腔、真空腔在厚度方向上的投影均重合。本发明采用三层压力敏感薄膜设计，结合气体缓冲腔设计，使气体缓冲腔周围的两层薄膜在其最佳的工作范围内都能提供近线性响应，在不影响传感器灵敏度的前提下，拓宽了传感器的线性工作区间。此外，弹性的气体腔室还可以有效地缓解局部的压力尖峰，从而消除尖峰压力带来的非线性响应。
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公开(公告)号：CN110389813B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201910519583.1
申请日：2019-06-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种面向网络靶场的虚拟机动态迁移方法，以一定周期检测靶场系统各物理机的负载信息，利用低位阈值、高位阈值和自适应阈值来判断靶场整体的负载状况，若有物理机负载高于高位阈值，则利用负载预测机制对其未来负载趋势进行预测，根据预测结果来决定是否触发迁移；触发迁移后，根据虚拟机的资源特点、虚拟机最大剩余生命以及迁移对通信开销的影响来选择迁移源虚拟机；将负载低于低位阈值的物理机作为备选的迁移目标物理机，并利用首次适应下降算法决定最终迁移的目标物理机。本发明提出的迁移策略结合网络靶场虚拟机最大剩余生命可知的特点，减少了靶场虚拟机的迁移代价。
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公开(公告)号：CN114061797A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111361809.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双电桥结构MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备四个压敏电阻，上表面和下表面的各压敏电阻分别正对设置，且相互正交排布；同一表面的四个压敏电阻分别正对敏感薄膜各边缘的中心位置。敏感薄膜下表面的四个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接，金属引线上设有绝缘层。上表面和下表面两组压敏电阻形成两组惠斯通电桥。本发明在不减小传感器的敏感薄膜厚度以及不增加传感器敏感薄膜的面积的前提下，有效提升了传感器的灵敏度，有助于改善传感器的可靠性能，提高传感器的集成度，降低传感器的面积和成本，简洁的布线进一步保证传感器的精度不受影响。
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