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公开(公告)号：CN114061797B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111361809.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双电桥结构MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备四个压敏电阻，上表面和下表面的各压敏电阻分别正对设置，且相互正交排布；同一表面的四个压敏电阻分别正对敏感薄膜各边缘的中心位置。敏感薄膜下表面的四个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接，金属引线上设有绝缘层。上表面和下表面两组压敏电阻形成两组惠斯通电桥。本发明在不减小传感器的敏感薄膜厚度以及不增加传感器敏感薄膜的面积的前提下，有效提升了传感器的灵敏度，有助于改善传感器的可靠性能，提高传感器的集成度，降低传感器的面积和成本，简洁的布线进一步保证传感器的精度不受影响。
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公开(公告)号：CN113701927B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111251494.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿。
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公开(公告)号：CN114061797A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111361809.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双电桥结构MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，在敏感薄膜的上表面和下表面分别制备四个压敏电阻，上表面和下表面的各压敏电阻分别正对设置，且相互正交排布；同一表面的四个压敏电阻分别正对敏感薄膜各边缘的中心位置。敏感薄膜下表面的四个压敏电阻的两端分别通过金属引线与结构上表面的电极层电连接，金属引线上设有绝缘层。上表面和下表面两组压敏电阻形成两组惠斯通电桥。本发明在不减小传感器的敏感薄膜厚度以及不增加传感器敏感薄膜的面积的前提下，有效提升了传感器的灵敏度，有助于改善传感器的可靠性能，提高传感器的集成度，降低传感器的面积和成本，简洁的布线进一步保证传感器的精度不受影响。
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公开(公告)号：CN113701927A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111251494.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种实现可靠性测试及阻值偏差补偿的压阻式传感器，包括压力敏感薄膜、压敏电阻、隧穿层，电荷存储层设置在隧穿层的上表面，并位于压敏电阻的上方，且部分覆盖压敏电阻；阻挡层完全覆盖隧穿层和电荷存储层的上表面；压阻电极设置在阻挡层的上表面，并穿过隧穿层和阻挡层上的通孔与压敏电阻电连接；调控电极设置在阻挡层的上表面，与压阻电极相间隔，并部分覆盖电荷存储层。其中，压敏电阻、隧穿层、电荷存储层、阻挡层与调控电极构成电荷型非易失性存储器结构，该结构能够实现定量调控电荷存储层中的俘获电荷数目以及通过俘获的电荷调控压敏电阻的载流子浓度进而调整压敏电阻的阻值，从而实现压敏电阻的有效修正与补偿。
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