-
公开(公告)号：CN108831971B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201810412782.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管，其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者AlaGa1‑aN缓冲层、n型AlbGa1‑bN区、AlcGa1‑cN‑AldGa1‑dN多量子阱有源区、BN电子阻挡层、AleGa1‑eN‑BN布拉格反射镜结构p型区、重掺p型GaN层、ITO导电层、在ITO导电层上设置有p型欧姆电极，在n型AlbGa1‑bN层上设置有n型欧姆电极，且n型欧姆电极与除n型AlbGa1‑bN层以外的其他区域绝缘。该二极管有效提高了紫外LED的发光效率，同时大幅降低紫外LED的开启电压和电阻率。
-
公开(公告)号：CN107240627B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710342958.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管，包括：由下至上依次设置的衬底，AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区、AlzGa1‑zN电子阻挡层，其中z>y>x，p型AlGaN层和透明导电层，在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型欧姆电极。本发明的有益效果为：本发明可形成与极化电场方向相反的补偿电场，一方面有利于减缓甚至消除量子阱的能带倾斜，增加量子阱势垒层的有效高度，提高载流子，特别是电子在多量子阱结构中分布的均匀性；另一方面，增加了量子阱中的电子与空穴的波函数在空间上的重叠程度，提高了电子与空穴的辐射复合效率，从而能够显著提升UV‑LED的发光效率。
-
公开(公告)号：CN108807500A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810540129.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层以及钝化层，源极和漏极分别设置于n型AlGaN层两端并与非掺杂GaN层形成接触，栅极设置在n型AlGaN层之上；所述n型AlGaN层由氮极性AlGaN层和金属极性AlGaN层组成。本发明通过引入了有别于传统金属极性的氮极性AlGaN层，与金属极性的GaN层构成的AlGaN/GaN异质结能带结构，实现更高的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN106298990A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610968769.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425
Abstract: 本发明提供了一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池。自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN吸收层，p型GaN层，其中除衬底之外的所有氮化物外延层均由非极性材料构成；在p型GaN层上引出p型欧姆电极，在n型GaN层上引出n型欧姆电极。由于非极性外延层面内存在平行于外延层面的单一方向的自发极化电场，且p型和n型GaN欧姆电极分别位于自发极化电场的正负两端，因此自发极化电场的存在有利于提高太阳能电池中光生载流子电子空穴对的横向即平行于电池表面的空间分离效率，并且此自发极化电场还可加速将分离的空穴和电子分别输运至正负电极处，从而可大大提高光电流的产生效率。
-
公开(公告)号：CN105355736A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510770220.7
申请日：2015-11-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种具有量子点p区结构的紫外发光二极管(UV-LED)，自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱有源区、AlzGa1-zN电子阻挡层，GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点p型层和氧化铟锡(ITO)导电层，其中z>y>x>q，在ITO导电层和n区上分别引出p型和n型欧姆电极。由于采用GaN或低Al组分AlqGa1-qN量子点作为p区材料，易实现Mg掺杂和激活；又因为量子点相较于高维材料具有更大的禁带宽度，可以避免其对紫外出射光的吸收，因此该结构可以从而提高UV-LED的外量子效率和发光功率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108831971A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810412782.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种具有倒装结构的紫外发光二极管，其该二极管自下而上依次为衬底、AlN成核层、非掺杂AlN或者AlaGa1-aN缓冲层、n型AlbGa1-bN区、AlcGa1-cN-AldGa1-dN多量子阱有源区、BN电子阻挡层、AleGa1-eN-BN布拉格反射镜结构p型区、重掺p型GaN层、ITO导电层、在ITO导电层上设置有p型欧姆电极，在n型AlbGa1-bN层上设置有n型欧姆电极，且n型欧姆电极与除n型AlbGa1-bN层以外的其他区域绝缘。该二极管有效提高了紫外LED的发光效率，同时大幅降低紫外LED的开启电压和电阻率。
-
公开(公告)号：CN106298990B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610968769.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明提供了一种具有自发极化电场的非极性太阳能电池。自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN吸收层，p型GaN层，其中除衬底之外的所有氮化物外延层均由非极性材料构成；在p型GaN层上引出p型欧姆电极，在n型GaN层上引出n型欧姆电极。由于非极性外延层面内存在平行于外延层面的单一方向的自发极化电场，且p型和n型GaN欧姆电极分别位于自发极化电场的正负两端，因此自发极化电场的存在有利于提高太阳能电池中光生载流子电子空穴对的横向即平行于电池表面的空间分离效率，并且此自发极化电场还可加速将分离的空穴和电子分别输运至正负电极处，从而可大大提高光电流的产生效率。
-
公开(公告)号：CN108807500B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810540129.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值电压的增强型高电子迁移率晶体管，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层以及钝化层，源极和漏极分别设置于n型AlGaN层两端并与非掺杂GaN层形成接触，栅极设置在n型AlGaN层之上；所述n型AlGaN层由氮极性AlGaN层和金属极性AlGaN层组成。本发明通过引入了有别于传统金属极性的氮极性AlGaN层，与金属极性的GaN层构成的AlGaN/GaN异质结能带结构，实现更高的阈值电压。
-
公开(公告)号：CN104966769A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510283134.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管，其自下而上依次包括衬底101，空穴注入层102，在空穴注入层102设置的反射型光子晶体即光子晶体一103，空穴传输层104，量子点有源区105，在电子传输层107设置的缺陷型光子晶体即光子晶体二106，电子传输层107，电子注入层108。本发明的有益效果为：显著提高LED的光提取效率；提高LED的内量子效率，最终也有利于提高LED的发光功率和亮度。
-
公开(公告)号：CN107240615B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710338137.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.026 seconds)
