公开(公告)号：CN102365721B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201080013932.X

申请日：2010-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/49 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供了一种用于形成半导体器件用的具有降低的等效氧化物厚度(EOT)的高k栅极叠层的方法。该方法包括：提供含硅的衬底；在所述含硅衬底上形成界面层，其中该界面层具有第一等效氧化物厚度；将第一高k膜沉积在所述界面层上；并且在形成改性界面层的温度下对所述第一高k膜和所述界面层进行热处理，其中改性界面层具有等于或低于所述第一等效氧化物厚度的第二等效氧化物厚度。该方法还包括将第二高k膜沉积在所述改性界面层上。根据一种实施方式，第一高k膜包含氧化镧而第二高k膜包含硅酸铪。

公开(公告)号：CN102365721A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080013932.X

申请日：2010-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/49 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供了一种用于形成半导体器件用的具有降低的等效氧化物厚度(EOT)的高k栅极叠层的方法。该方法包括：提供含硅的衬底；在所述含硅衬底上形成界面层，其中该界面层具有第一等效氧化物厚度；将第一高k膜沉积在所述界面层上；并且在形成改性界面层的温度下对所述第一高k膜和所述界面层进行热处理，其中改性界面层具有等于或低于所述第一等效氧化物厚度的第二等效氧化物厚度。该方法还包括将第二高k膜沉积在所述改性界面层上。根据一种实施方式，第一高k膜包含氧化镧而第二高k膜包含硅酸铪。

公开(公告)号：CN101460658B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200780020120.6

申请日：2007-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供了一种沉积栅极电介质的方法，所述栅极电介质包括至少两种氧化物形式或铝酸盐形式的稀土金属元素。所述方法包括将衬底(25，92)布置在处理室(10)中以及将衬底(25，92)暴露于包含第一稀土前驱体的气体脉冲并暴露于包含第二稀土前驱体的气体脉冲。衬底(25，92)还可任选地被暴露于包含铝前驱体的气体脉冲。在每个前驱体气体脉冲之后，将衬底(25，92)暴露于含氧气体的气体脉冲。在替代性实施方式中，第一和第二稀土前驱体可一起被脉冲，并且二者之一或全部可与铝前驱体一起被脉冲。第一和第二稀土前驱体包含不同的稀土金属元素。可重复这种顺序暴露步骤，以沉积具有期望厚度的混合稀土氧化物或铝酸盐层(96)。还可以在每个气体脉冲之后进行吹扫或排空步骤。

公开(公告)号：CN112470257B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201980049558.X

申请日：2019-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克 ,  坎达巴拉·N·塔皮利

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L21/324

Abstract: 描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶。该方法进一步包括从该衬底去除该盖层，将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。

公开(公告)号：CN103477419A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280015501.6

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7391

Abstract: 提供了一种用于在衬底中形成超浅掺杂剂区域的方法。在一个实施方案中，该方法包括沉积直接接触衬底的掺杂剂层，该掺杂剂层包含氧化物、氮化物或氧氮化物，其中掺杂剂层包含选自硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）、铊（Tl）、氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）和铋（Bi）中的掺杂剂。该方法还包括对掺杂剂层进行图案化，以及通过热处理使掺杂剂从图案化的掺杂剂层扩散到衬底中而在衬底中形成超浅掺杂剂区域。

公开(公告)号：CN101460658A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020120.6

申请日：2007-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供了一种沉积栅极电介质的方法，所述栅极电介质包括至少两种氧化物形式或铝酸盐形式的稀土金属元素。所述方法包括将衬底(25，92)布置在处理室(10)中以及将衬底(25，92)暴露于包含第一稀土前驱体的气体脉冲并暴露于包含第二稀土前驱体的气体脉冲。衬底(25，92)还可任选地被暴露于包含铝前驱体的气体脉冲。在每个前驱体气体脉冲之后，将衬底(25，92)暴露于含氧气体的气体脉冲。在替代性实施方式中，第一和第二稀土前驱体可一起被脉冲，并且二者之一或全部可与铝前驱体一起被脉冲。第一和第二稀土前驱体包含不同的稀土金属元素。可重复这种顺序暴露步骤，以沉积具有期望厚度的混合稀土氧化物或铝酸盐层(96)。还可以在每个气体脉冲之后进行吹扫或排空步骤。

公开(公告)号：CN116802773A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011740.8

申请日：2022-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于液相保形氧化硅旋涂沉积的方法包括在加工室中提供衬底，在该衬底上旋涂在第一液体中含有铝的第一反应物以在该衬底上形成该第一反应物的自限制层，在该衬底上旋涂在第二液体中含有硅烷醇试剂的第二反应物，其中该第一反应物的该自限制层催化该硅烷醇试剂在该衬底上的吸附，并且对该衬底进行热处理以由所吸附的硅烷醇试剂形成氧化硅膜。

公开(公告)号：CN112470257A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980049558.X

申请日：2019-07-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克 ,  坎达巴拉·N·塔皮利

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L21/324

Abstract: 描述了形成用于半导体器件的晶体学稳定的铁电铪锆基膜的方法。该铪锆基膜可以是掺杂的或非掺杂的。该方法包括在衬底上沉积厚度大于5纳米的铪锆基膜，在该铪锆基膜上沉积盖层，对该衬底进行热处理以使该铪锆基膜以非中心对称的正交相、四方相或其混合物结晶。该方法进一步包括从该衬底去除该盖层，将该经热处理的铪锆基膜减薄到小于5纳米的厚度，其中该减薄的经热处理的铪锆基膜保持该结晶的非中心对称的正交相、四方相或其混合物。

公开(公告)号：CN103477419B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201280015501.6

申请日：2012-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 罗伯特·D·克拉克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7391

Abstract: 提供了一种用于在衬底中形成超浅掺杂剂区域的方法。在一个实施方案中，该方法包括沉积直接接触衬底的掺杂剂层，该掺杂剂层包含氧化物、氮化物或氧氮化物，其中掺杂剂层包含选自硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）、铊（Tl）、氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）和铋（Bi）中的掺杂剂。该方法还包括对掺杂剂层进行图案化，以及通过热处理使掺杂剂从图案化的掺杂剂层扩散到衬底中而在衬底中形成超浅掺杂剂区域。