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公开(公告)号：CN111788465B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201980015944.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/324
Abstract: 例示性实施方式所涉及的温度测定传感器具备：基板；及光纤，其设置于基板的上表面并沿着上表面而延伸。温度测定传感器还具备：作为使上表面的上方的空间和基板的下表面的下方的空间连通的空间的光导入路径；及光耦合部，其设置于上表面并配置于光导入路径上。光耦合部与光纤的端面光学地连接。光纤构成第1图案形状及第2图案形状。第1图案形状比第2图案形状更密集地包含光纤。经由光导入路径从下表面侧入射到光耦合部的光经由光耦合部到达端面。
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公开(公告)号：CN112697295A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011060754.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/00
Abstract: 本公开涉及温度测量系统和温度测量方法。对具有第一及与第一主表面相向的第二主表面的测定对象物的温度进行测量，具备：光源部，其产生输出光，所述输出光包括第一及第二波长范围，所述输出光透过测定对象物；测定部，其测定来自第一及第二主表面的反射光的光谱；光程比计算部，其通过对光谱进行傅立叶变换来计算光程比，所述光程比为关于第一波长范围的输出光的光程与关于第二波长范围的输出光的光程之比；以及温度计算部，其基于光程比及预先获取到的折射率比与测定对象物的温度之间的关系来计算测定对象物的温度，所述折射率比为关于第一波长范围的输出光的在测定对象物的折射率与关于第二波长范围的输出光的在测定对象物的折射率。
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公开(公告)号：CN117316748A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310734622.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供测量基片支承部的自偏压的面内分布的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座；静电吸盘；多个电极层，其配置在静电吸盘内的同一面内；开关组，其由与多个电极层分别电连接的多个开关构成；电源部和测量部，其与开关组电连接；其他开关，其将开关组的连接目标选择为电源部和测量部中的任一者；以及控制部，电源部包括向多个电极层供给电功率的电源，测量部包括电阻和对施加到电阻的电压进行测量的电压计，控制部构成为能够执行包含如下处理的控制：将开关组的连接目标切换为测量部，之后将构成开关组的多个开关逐一地切换为接通的状态。
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公开(公告)号：CN112088303A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980029808.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吴同
Abstract: 描述了一种用于实时感测工业制造设备中的特性的装置和方法。该感测系统包括：第一多个传感器，该第一多个传感器被安装在半导体器件制造系统的加工环境内，其中，每个传感器被分配给不同的区域，以监测该制造系统的所分配的区域的物理或化学特性；以及读取器系统，该读取器系统具有被配置成同时并以无线的方式询问该多个传感器的部件。该读取器系统使用单一高频询问序列，该单一高频询问序列包括：(1)向该第一多个传感器发送第一请求脉冲信号，该第一请求脉冲信号与第一频带相关联，以及(2)接收来自该第一多个传感器的唯一可识别的传感器响应信号，该第一多个传感器提供对该系统的每个所分配的区域的物理或化学特性的变化的实时监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111788465A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015944.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/32
Abstract: 例示性实施方式所涉及的温度测定传感器具备：基板；及光纤，其设置于基板的上表面并沿着上表面而延伸。温度测定传感器还具备：作为使上表面的上方的空间和基板的下表面的下方的空间连通的空间的光导入路径；及光耦合部，其设置于上表面并配置于光导入路径上。光耦合部与光纤的端面光学地连接。光纤构成第1图案形状及第2图案形状。第1图案形状比第2图案形状更密集地包含光纤。经由光导入路径从下表面侧入射到光耦合部的光经由光耦合部到达端面。
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公开(公告)号：CN112151941B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010546135.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线装置及温度检测方法。例示性实施方式的天线装置具有第1金属层、在第1金属层上设置的第1电介质层、在第1电介质层上设置的第2金属层以及在第2金属层上设置的第2电介质层，天线装置具备在第2电介质层上设置的第1金属端子及第2金属端子以及在第2电介质层上设置的温度检测器，第1金属端子与第2金属端子彼此分离配置，温度检测器的一对输入输出端子的各个与第1金属端子及第2金属端子的各个电连接，第2金属层具有配置于第1电介质层上的第1部分与第2部分，第1部分与第2部分彼此分离配置，第1金属端子配置于第1部分的上方，第2金属端子配置于第2部分的上方，第1电介质层的材料具有比FR‑4树脂更高的导热系数与更高的耐热性。
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公开(公告)号：CN114812884A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210059924.3
申请日：2022-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 吴同
IPC: G01L1/24 , G01L1/26 , G01L5/00 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及测量用治具和测量装置。适当地测量被静电卡盘吸附保持的晶圆的吸附力分布。测量用治具具备基板和光纤。基板是与半导体制造用的晶圆呈大致相同形状的基板。光纤在内部具有能够反射与基板伴随应力产生的应变对应的波长的光的多个反射元件。光纤以多个反射元件分别配置于基板的一面上的多个位置的状态固定于基板的一面上。
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公开(公告)号：CN112151941A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010546135.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线装置及温度检测方法。例示性实施方式的天线装置具有第1金属层、在第1金属层上设置的第1电介质层、在第1电介质层上设置的第2金属层以及在第2金属层上设置的第2电介质层，天线装置具备在第2电介质层上设置的第1金属端子及第2金属端子以及在第2电介质层上设置的温度检测器，第1金属端子与第2金属端子彼此分离配置，温度检测器的一对输入输出端子的各个与第1金属端子及第2金属端子的各个电连接，第2金属层具有配置于第1电介质层上的第1部分与第2部分，第1部分与第2部分彼此分离配置，第1金属端子配置于第1部分的上方，第2金属端子配置于第2部分的上方，第1电介质层的材料具有比FR‑4树脂更高的导热系数与更高的耐热性。
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公开(公告)号：CN113310594A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110189877.X
申请日：2021-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种测定方法及测定系统，其能够去除半导体制造装置内的噪声，并对半导体制造装置内的物理特性精确地进行预测。该测定方法由具有腔室的半导体制造装置进行，该测定方法包括：基于在未将能够进行无线通信的夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室内的电信号，取得具有所述腔室内的谐振频率的第一测定数据，并将该第一测定数据作为基准数据的工序；基于在将所述夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室内的电信号，取得具有所述腔室内的谐振频率和由在所述夹具上搭载的传感器所检测出的谐振频率的第二测定数据的工序；以及从取得的所述第二测定数据中减去所述基准数据，以去除噪声的工序。
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