公开(公告)号：CN101258499A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200580048112.3

申请日：2005-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 詹姆斯·E·威利斯 ,  麦尔特·凡克 ,  凯文·拉利 ,  凯文·彼恩托 ,  友安昌幸 ,  雷蒙德·彼得森 ,  哈达·桑达哈简

IPC: G06F19/00

CPC classification number: G05B19/4184 ,  G05B2219/31356 ,  G05B2219/32179 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P80/40 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/86

Abstract: 一种用于在APC系统中实现FDC(400)的方法，包括从存储器接收FDC模型(430)；将所述FDC模型(430)提供给处理模型计算引擎(425)；使用所述处理模型(425)计算引擎计算预测的依赖处理参数矢量；接收包括一组配方参数(440)的处理配方，将处理配方提供给处理模块(420)；执行所述处理配方以产生测量的依赖处理参数矢量(445)；计算所述预测的依赖处理参数矢量和所述测量的依赖处理参数矢量之间的差(450)；将所述差和阈值进行比较(455)；以及当所述差大于阈值时宣布故障状态(465)。

公开(公告)号：CN101258499B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200580048112.3

申请日：2005-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 詹姆斯·E·威利斯 ,  麦尔特·凡克 ,  凯文·拉利 ,  凯文·彼恩托 ,  友安昌幸 ,  雷蒙德·彼得森 ,  哈达·桑达哈简

IPC: G05B19/418

CPC classification number: G05B19/4184 ,  G05B2219/31356 ,  G05B2219/32179 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P80/40 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/86

Abstract: 一种用于在APC系统中实现FDC(400)的方法，包括从存储器接收FDC模型(430)；将所述FDC模型(430)提供给处理模型计算引擎(425)；使用所述处理模型(425)计算引擎计算预测的依赖处理参数矢量；接收包括一组配方参数(440)的处理配方，将处理配方提供给处理模块(420)；执行所述处理配方以产生测量的依赖处理参数矢量(445)；计算所述预测的依赖处理参数矢量和所述测量的依赖处理参数矢量之间的差(450)；将所述差和阈值进行比较(455)；以及当所述差大于阈值时宣布故障状态(465)。

公开(公告)号：CN101416043B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780012394.0

申请日：2007-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 凯文·拉利 ,  麦里特·法克 ,  冉德哈·散达冉冉珍

IPC: G01N21/00

CPC classification number: G01N21/95607 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用光学计量来测量半导体晶片上形成的受损结构的方法。该方法包括从受损周期结构获得测得的衍射信号。定义该受损周期结构的假想轮廓。该假想轮廓具有未受损部分和受损部分，所述未受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的未受损区域，所述受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的受损区域。所述未受损部分和受损部分具有与其相关联的不同特性。使用所述假想轮廓来计算假想受损周期结构的模拟衍射信号。比较所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号。如果所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号在匹配判据下匹配，则基于用于计算所述模拟衍射信号的所述假想轮廓的受损部分，得到所述受损周期结构的损伤量。

公开(公告)号：CN101416043A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012394.0

申请日：2007-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 凯文·拉利 ,  麦里特·法克 ,  冉德哈·散达冉冉珍

IPC: G01N21/00

CPC classification number: G01N21/95607 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种使用光学计量来测量半导体晶片上形成的受损结构的方法。该方法包括从受损周期结构获得测得的衍射信号。定义该受损周期结构的假想轮廓。该假想轮廓具有未受损部分和受损部分，所述未受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的未受损区域，所述受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的受损区域。所述未受损部分和受损部分具有与其相关联的不同特性。使用所述假想轮廓来计算假想受损周期结构的模拟衍射信号。比较所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号。如果所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号在匹配判据下匹配，则基于用于计算所述模拟衍射信号的所述假想轮廓的受损部分，得到所述受损周期结构的损伤量。