公开(公告)号：CN105612607A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480053037.9

申请日：2014-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古川孝弘 ,  二俣雄亮 ,  佐藤秀明 ,  原大海 ,  河津贵裕 ,  盐川俊行 ,  佐藤尊三

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67086

Abstract: (课题)不全部更换蚀刻液，而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。(技术手段)蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式，在第2部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出，将新的蚀刻液以第4设定量供给。

公开(公告)号：CN101598908A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910145756.4

申请日：2009-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八寻俊一 ,  二俣雄亮

IPC: G03F7/38 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够防止支承被处理基板的销转印到基板上。所述基板处理装置包括：腔室(106)，收纳被处理基板(G)；减压单元(142)，对腔室(106)内进行减压；多个升降销(128)，被排列在腔室(106)内并从下方支承被处理基板(G)；升降销升降单元(126)，以多个升降销(128)为一组，分别独立升降各组内的升降销(128)；基板温度范围检测单元(133)，将随着减压干燥处理而发生变化的基板(G)的温度划分为规定的温度范围进行检测；升降销温度调整单元(131、132)，对所述组内的每个升降销(128)，将上述销上的与基板(G)的接触部设定为规定温度，上述规定温度包含在由所述基板温度范围检测单元(133)检测出的温度范围中；和控制单元(133)，对升降销升降单元(126)进行驱动控制。

公开(公告)号：CN114975169A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210127703.5

申请日：2022-02-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本佑介 ,  东岛治郎 ,  绪方信博 ,  后藤大辅 ,  二俣雄亮 ,  中泽贵士

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开涉及基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。

公开(公告)号：CN109935520A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910264802.6

申请日：2014-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古川孝弘 ,  二俣雄亮 ,  佐藤秀明 ,  原大海 ,  河津贵裕 ,  盐川俊行 ,  佐藤尊三

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质。该蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式，在该第1部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第1设定量排出，将新的蚀刻液以第2设定量供给。间隔工序包括第2部分更换模式，在第2部分更换模式中，将提供于蚀刻处理的蚀刻液以第3设定量排出，将新的蚀刻液以第4设定量供给。根据本发明的蚀刻方法、蚀刻装置以及存储介质，不全部更换蚀刻液，而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围，能够精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。

公开(公告)号：CN217768298U

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202220277460.9

申请日：2022-02-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 桥本佑介 ,  东岛治郎 ,  绪方信博 ,  后藤大辅 ,  二俣雄亮 ,  中泽贵士

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开涉及基板处理装置，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。