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公开(公告)号：CN110462380B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201880021278.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 国立大学法人横浜国立大学 , 东京应化工业株式会社
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种氢检测用元件，将储氢金属以规定的形状以及大小配置于基材，基于由入射的光而感应的表面等离子共振对氢进行检测。储氢金属由包括钯与贵金属的膜体形成。通过了储氢的储氢金属的光的光谱在偏离于二氧化碳相对于光的吸收光谱(C1)与水相对于光的吸收光谱(H1～H3)的波长带宽具有峰。
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公开(公告)号：CN110462380A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880021278.3
申请日：2018-03-28
Applicant: 国立大学法人横浜国立大学 , 东京应化工业株式会社
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种氢检测用元件，将储氢金属以规定的形状以及大小配置于基材，基于由入射的光而感应的表面等离子共振对氢进行检测。储氢金属由包括钯与贵金属的膜体形成。通过了储氢的储氢金属的光的光谱在偏离于二氧化碳相对于光的吸收光谱(C1)与水相对于光的吸收光谱(H1～H3)的波长带宽具有峰。
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公开(公告)号：CN114437872A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111250087.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种清洗用组合物，其为半导体制造用工艺腔室的组件的清洗用组合物，含有发泡剂、氧化剂以及酸性化合物，(所述清洗用组合物所含有的所述酸性化合物的摩尔数×所述酸性化合物的酸的价数)/(所述清洗用组合物所含有的所述发泡剂的摩尔数×所述发泡剂的碱的价数)的值超过0.1小于1.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110034009A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811593567.9
申请日：2018-12-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 提供一种返工方法与能够适合用于该返工方法的酸性清洗液，该返工方法在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，能够抑制对下层膜的损伤，并且从下层膜上良好地剥离有机树脂膜。在表面具备包含含硅材料的下层膜的基板中，除去形成在下层膜上的图案化的有机树脂膜从而进行返工时，使用包含可卤代的烷基磺酸的酸性清洗液进行有机树脂膜的除去。
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公开(公告)号：CN117467307A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310908049.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及固化性组合物。提供良好地固化并且基于喷墨涂布的成膜性也良好的固化性组合物、该固化性组合物的固化物、和使用前述固化性组合物的固化膜的形成方法。在固化性组合物中，含有多官能乙烯基醚化合物(A)、多官能硫醇化合物(B)、固化剂(C)、光敏化剂(D)、和稳定剂(E)，作为固化剂(C)，使用光自由基聚合引发剂(C1)、和光产酸剂(C2)，作为光敏化剂(D)，使用咔唑化合物，作为稳定剂(E)，使用咪唑化合物。
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公开(公告)号：CN116406310A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202180076226.8
申请日：2021-11-17
Applicant: 东京应化工业株式会社
Inventor： 平野勋
IPC: B01D71/26
Abstract: 膜清洗液，其为含有溶剂和金属除去剂的膜清洗液，前述膜清洗液包含2种以上的溶剂，膜清洗液的汉森溶解度参数与二甲基乙酰胺的汉森溶解度参数的距离为1.0以下。
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公开(公告)号：CN113808932A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110652436.9
申请日：2021-06-11
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: H01L21/306 , C09K13/08
Abstract: 本发明提供一种能够在室温水平的较低温度下进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液。使用蚀刻液对半导体基板进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法中，蚀刻液包含氟化氢和铂粒子，该半导体基板的蚀刻方法具有蚀刻液接触工序，使蚀刻液在流动的同时接触半导体基板、或者使半导体基板在移动的同时接触蚀刻液。
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