公开(公告)号：CN104900628A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510348146.X

申请日：2015-06-23

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 谢慧琴 ,  陈靖 ,  丁蕾 ,  刘凯 ,  王立春

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构及其制作方法，该结构包括：实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物；其中：实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体；金属屏蔽层为包围实心金属通柱的环形金属屏蔽层；金属氧化物为实心金属通柱和金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。该方法包括：第一次光刻在一基板上下表面形成垂直互连结构的图形掩膜；进行致密型阳极氧化；去除垂直互连结构的图形掩膜，第二次光刻在基板上下表面形成实心金属通柱的图形掩膜和金属屏蔽层的图形掩膜；进行穿透型阳极氧化；去除实心金属通柱的图形掩膜和金属屏蔽层的图形掩膜。本发明的垂直互连结构及其制作方法，有效解决了电磁泄漏问题。

公开(公告)号：CN105244313A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510566421.5

申请日：2015-09-08

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 丁蕾 ,  陈靖 ,  杨旭一 ,  谢慧琴 ,  吴伟伟 ,  刘米丰 ,  王立春

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76816

Abstract: 本发明提出了一种基板上薄膜通孔互连制作方法，在干净的基板上表面上溅射复合粘附层；在复合粘附层之上进行光刻，形成薄膜导带光刻图形；电镀复合金属层，并在表面电镀Cu层；去胶；在Cu层之上对应通孔柱位置处进行光刻，形成薄膜通孔光刻图形；湿法腐蚀，将裸露表面的Cu层和复合粘附层去除；去胶；旋涂苯丙环丁烯、显影处理，光刻介质膜通孔图形；利用超声显影方法，去除显影残留；湿法腐蚀，去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层，在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层；固化BCB介质层，完成基板的薄膜通孔互连。克服了现有技术的工艺复杂、接触电阻大、可靠性低、无法实现在线通孔通断检测等问题，可实现薄膜多层布线的高密度通孔互连。

公开(公告)号：CN105118815A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510493827.5

申请日：2015-08-13

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 吴伟伟 ,  赵涌 ,  刘米丰 ,  谢慧琴 ,  丁蕾 ,  王立春

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153

Abstract: 本发明公开了一种基于铝基板的三维封装用垂直互连结构及其制备方法，该结构包括：至少两层功能化铝基板，其包括：铝通柱，铝半通柱，接地铝柱，芯片埋置腔，埋铝接地层以及埋铝互连线；埋置芯片，埋置于功能化铝基板的芯片埋置腔内；薄膜互连线，两端分别连接埋置芯片和铝半通柱；金属间化合物垂直互连线，两端分别连接相邻两层功能化铝基板的铝通柱；介质层，设置于功能化铝基板的表面。该方法包括：功能化铝基板的制备；埋置芯片的贴装；薄膜互连线的制备；介质层的制备；金属间化合物的沉积；三维堆叠垂直互连。本发明提高了封装效率和互连密度，采用金属间化合物垂直互连达到“低温制备，高温使用”的效果。

公开(公告)号：CN105047648A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510351159.2

申请日：2015-06-23

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 陈靖 ,  谢慧琴 ,  丁蕾 ,  杨乐 ,  谢作全 ,  戴洲 ,  王立春 ,  赵涛

IPC: H01L23/552 ,  H01L25/065 ,  H01L23/055 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明提供一种系统级封装结构及封装方法，包括：垂直互连隔板；陶瓷连接器；设在所述垂直互连隔板的靠近边缘端含至少两个带屏蔽的一体化同轴垂直互连结构；上封装基板至少两个以上芯片，下封装基板至少两个以上芯片；将垂直互连隔板中至少一同轴垂直互连结构分别与上封装基板连接的第一键合线、第二键合线；将垂直互连隔板中至少一同轴垂直互连结构分别与下封装基板、陶瓷连接器的金属图形端连接的第三键合线、第四键合线、第五键合线。本发明形成的陶瓷与金属混合封装结构上下两个腔体的电路间可以实现数字、模拟与微波信号的通信，且两腔体的信号互不干扰，提高系统集成度，同时具有气密性和高散热能力。

公开(公告)号：CN204696113U

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201520432405.2

申请日：2015-06-23

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 谢慧琴 ,  陈靖 ,  丁蕾 ,  吴伟伟 ,  任卫朋 ,  王立春

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/58

Abstract: 本实用新型公开了一种具有电磁屏蔽效能的垂直互连结构，其包括：实心金属通柱、金属屏蔽层和金属氧化物；其中：实心金属通柱为封装基板内任意层间垂直互连的金属导体；金属屏蔽层为包围实心金属通柱的环形金属屏蔽层；金属氧化物为实心金属通柱和金属屏蔽层之间的环形绝缘介质。本实用新型的垂直互连结构，有效解决了电磁泄漏问题。