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公开(公告)号：CN118197978A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410309063.9
申请日：2024-03-19
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆上关于线的测量点的定位方法，该方法包括如下步骤：获取测量点的SEM图像、模板图像和至少包括阈值T及与模板图像对应的预设测量框的位置和范围的参数信息，确定SEM图像和模板图像的第一偏移量G_Offset和确定与模板图像中参考线匹配的待测量线；计算SEM图像中待测量线的线宽L1和模板图像中参考线的线宽L2，得到线宽差值Diff_L；比较Diff_L与阈值T；当Diff_L不小于T时，基于G_Offset和Diff_L得到第二偏移量Sum_L，基于第二偏移量Sum_L以及预设测量框的位置和范围获得SEM图像中的测量框的位置和范围。本发明提供的晶圆上关于线的测量点的定位方法，能够基于同一个测量点模板图像定位具有不同线宽的不同晶圆，能够提高当基于同一个测量点模板图像定位与其不对应的晶圆时对测量点定位的准确性。
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公开(公告)号：CN115856000A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211635380.7
申请日：2022-12-19
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01N23/2251 , G01N21/95 , G06T7/00 , G06T7/73
Abstract: 本发明公开了一种电子束晶圆缺陷复检设备的复检准备方法和复检方法，复检准备方法包括：在晶圆上片并获取初检信息和完成光学显微系统下的晶圆对准后，进行扫描电镜的图像灰度优化；在所述扫描电镜下的多级晶圆对准的实施中判断是否进行扫描电镜的自动聚焦，根据判断结果完成该级晶圆对准或所述自动聚焦，完成该级晶圆对准和其余更高级的晶圆对准；确定晶圆坐标系的参考点。所述方法优化了EBR设备复检准备流程，将判断是否执行快速自动聚焦的内容有机地穿插到WA之中，除去了现有技术中的步骤紊乱和冗余,降低了其不必要的SEM图像采集导致的损坏晶圆的风险，提升了所述复检准备工作的效率和精准度，也提升了设备的吞吐量。
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公开(公告)号：CN116203804A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211697802.3
申请日：2022-12-28
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种IC设计版图和扫描电镜图像的配准方法及关键尺寸的测量方法，所述配准方法，包括：对第一IC设计版图进行二值化操作，以获取第二IC设计版图；对第一扫描电镜图像进行滤波操作，以获取第二扫描电镜图像；获取第一配准位置；对第二扫描电镜图像进行边缘提取，以获取第三扫描电镜图像；获取第一局部图像和第二局部图像；通过在采样区域内调整第一局部图像和第二局部图像之间的相对位置，进行迭代计算并在所述相对位置满足预设条件时停止迭代计算，以获取第二配准位置。本发明基于IC设计版图的全局图像和局部图像对IC设计版图和扫描电镜图像进行配准，能够获取更加精确的配准结果。
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公开(公告)号：CN114295081B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111660055.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明提供了一种关于线的关键尺寸的测量方法及带电粒子束设备，所述方法包括：提供模板图、实测图、待测量区域信息和矩形的测量框；在实测图中获取具有待测线的感兴趣区域，获取待测线的离散边缘点和边缘直线；计算旋转角、第一矢量距离和第二矢量距离，获取第二矢量距离对应的第一期望和第一方差；在所述模板图中获取参考的第二期望和第二方差；根据第一期望和第二期望的比较结果在实测图上进行测量框的移动，比较所述第一方差和第二方差以在当满足预设的迭代停止阈值时，停止移动并记录测量框在实测图中的目标位置，根据目标位置计算待测线的关键尺寸。本发明可降低定位漂移对关键尺寸测量的干扰，提高测量的可重复性和测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN117392360A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311434083.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CD‑SEM设备的定位方法和测量方法，用于定位晶圆上的测量点，包括：在创建工作菜单时，使用工作图像确定预设的所有测量点的位置，并确定对应的定位点的位置，在定位点的位置以第一放大倍率采集第一模板图像并选取第一模板，还以第二放大倍率采集第二模板图像；在执行工作菜单时，遍历各测量点，在对应的定位点的位置以第一放大倍率采集目标图像，基于第一模板与目标图像模板匹配，当匹配成功时，确定测量点的位置，当匹配失败时，降采样目标图像得到具有第二放大倍率的降采样图像，基于降采样图像与第二模板图像模板匹配，以确定测量点的位置。该定位方法和测量方法的可靠性高，能够节省时间，且能提升设备的吞吐量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118197977A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410309061.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆上关于圆形图案的测量点的定位方法，该方法包括如下步骤：获取测量点的SEM图像、模板图像和至少包括阈值T及预设测量框的位置和范围的参数信息，对SEM图像和模板图像进行图像匹配确定第一偏移量；获取SEM图像中待测量圆形图案的直径和模板图像中与其对应的参考圆形图案的直径，并作差得到直径差值；当其绝对值不小于阈值T时，基于第一偏移量和圆心差值得到第二偏移量，基于第二偏移量获得SEM图像中的测量框的位置和范围。本发明提供的晶圆上关于圆形图案的测量点的定位方法，能够基于同一个测量点模板图像定位具有不同直径的不同晶圆，能够提高当基于同一个测量点模板图像定位与其不对应的晶圆时对测量点定位的准确性。
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公开(公告)号：CN117011285A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311127800.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于扫描电镜图像的线粗糙度量测方法，能够提高该方法的稳定性和准确性，该方法包括：S1、获取扫描电镜图像以及量测区域和至少两个子区域，获取预设的平滑滤波器的平滑参数和预设的阈值条件；S2、基于平滑滤波器在当前的平滑参数下分别平滑每个子区域，确定每个子区域的候选边缘点的位置；S3、计算量测区域的全部候选边缘点的位置方差，判断位置方差是否满足阈值条件，当其不满足阈值条件时调整平滑滤波器的平滑参数，然后重复执行步骤S2‑S3，直至其满足阈值条件，当其满足阈值条件时，获得量测区域的所有子区域的候选边缘点并作为目标边缘点；S4、根据量测区域的所有子区域的目标边缘点的位置，计算线粗糙度。
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公开(公告)号：CN112289726A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181837.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆对准的晶圆模板图像生成方法，能产生各级晶圆对准所需的高精度的模板图像，该晶圆模板图像生成方法包括：对所选模板区域，获得晶圆设计信息包括各层结构和层结构对应的材料信息，对正入射或接近正入射照明的光学成像系统包括OM系统和TDI系统，将晶圆表面结构划分微分区域，计算晶圆上各微分区域到图像采集单元感光区域中对应的微分像素反射率，用图像采集单元感光区域内微分像素反射率的平均值作为图像采集单元对应像素的原始值，并归一(映射)到像素灰度值数据类型所对应的取值范围，构成模板图像中各像素的灰度值。按照本发明实现的晶圆模板图像生成方法，能够避免设置Recipe时占用半导体设备工作时间，从而支持脱机产生Recipe,进一步提高半导体设备晶圆对准的可靠性。
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公开(公告)号：CN112289726B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011181837.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆对准的晶圆模板图像生成方法，能产生各级晶圆对准所需的高精度的模板图像，该晶圆模板图像生成方法包括：对所选模板区域，获得晶圆设计信息包括各层结构和层结构对应的材料信息，对正入射或接近正入射照明的光学成像系统包括OM系统和TDI系统，将晶圆表面结构划分微分区域，计算晶圆上各微分区域到图像采集单元感光区域中对应的微分像素反射率，用图像采集单元感光区域内微分像素反射率的平均值作为图像采集单元对应像素的原始值，并归一(映射)到像素灰度值数据类型所对应的取值范围，构成模板图像中各像素的灰度值。按照本发明实现的晶圆模板图像生成方法，能够避免设置Recipe时占用半导体设备工作时间，从而支持脱机产生Recipe,进一步提高半导体设备晶圆对准的可靠性。
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公开(公告)号：CN114295081A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111660055.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明提供了一种关于线的关键尺寸的测量方法及带电粒子束设备，所述方法包括：提供模板图、实测图、待测量区域信息和矩形的测量框；在实测图中获取具有待测线的感兴趣区域，获取待测线的离散边缘点和边缘直线；计算旋转角、第一矢量距离和第二矢量距离，获取第二矢量距离对应的第一期望和第一方差；在所述模板图中获取参考的第二期望和第二方差；根据第一期望和第二期望的比较结果在实测图上进行测量框的移动，比较所述第一方差和第二方差以在当满足预设的迭代停止阈值时，停止移动并记录测量框在实测图中的目标位置，根据目标位置计算待测线的关键尺寸。本发明可降低定位漂移对关键尺寸测量的干扰，提高测量的可重复性和测量结果的准确性。
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