-
公开(公告)号：CN114387323B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202111593678.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于光栅图像的位移测量方法及装置，首先获取模板图像；其次，沿光栅条纹方向对所述模板图像进行投影得到模板向量；然后，采集待测物位移后的光栅图像，沿光栅条纹方向对所述光栅图像进行投影，构建待测向量，计算待测向量与模板向量的归一化相关系数，其中相关系数最大值对应的像素位置即为待测物位移后的目标特征的像素位置；最后将待测物位移后的目标特征的像素位置与目标特征初始像素位置相减，得到目标特征的相对像素位移，基于所述相对像素位移和所述待测物的初始位置，得到待测物位移后的绝对位置。本发明仅需光栅光源以及采集光栅图像的摄像头即可进行位移测量，适合狭小空间中的位移测量。
-
公开(公告)号：CN112289726B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011181837.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆对准的晶圆模板图像生成方法，能产生各级晶圆对准所需的高精度的模板图像，该晶圆模板图像生成方法包括：对所选模板区域，获得晶圆设计信息包括各层结构和层结构对应的材料信息，对正入射或接近正入射照明的光学成像系统包括OM系统和TDI系统，将晶圆表面结构划分微分区域，计算晶圆上各微分区域到图像采集单元感光区域中对应的微分像素反射率，用图像采集单元感光区域内微分像素反射率的平均值作为图像采集单元对应像素的原始值，并归一(映射)到像素灰度值数据类型所对应的取值范围，构成模板图像中各像素的灰度值。按照本发明实现的晶圆模板图像生成方法，能够避免设置Recipe时占用半导体设备工作时间，从而支持脱机产生Recipe,进一步提高半导体设备晶圆对准的可靠性。
-
公开(公告)号：CN114387323A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111593678.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于光栅图像的位移测量方法及装置，首先获取模板图像；其次，沿光栅条纹方向对所述模板图像进行投影得到模板向量；然后，采集待测物位移后的光栅图像，沿光栅条纹方向对所述光栅图像进行投影，构建待测向量，计算待测向量与模板向量的归一化相关系数，其中相关系数最大值对应的像素位置即为待测物位移后的目标特征的像素位置；最后将待测物位移后的目标特征的像素位置与目标特征初始像素位置相减，得到目标特征的相对像素位移，基于所述相对像素位移和所述待测物的初始位置，得到待测物位移后的绝对位置。本发明仅需光栅光源以及采集光栅图像的摄像头即可进行位移测量，适合狭小空间中的位移测量。
-
公开(公告)号：CN114295081A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111660055.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明提供了一种关于线的关键尺寸的测量方法及带电粒子束设备，所述方法包括：提供模板图、实测图、待测量区域信息和矩形的测量框；在实测图中获取具有待测线的感兴趣区域，获取待测线的离散边缘点和边缘直线；计算旋转角、第一矢量距离和第二矢量距离，获取第二矢量距离对应的第一期望和第一方差；在所述模板图中获取参考的第二期望和第二方差；根据第一期望和第二期望的比较结果在实测图上进行测量框的移动，比较所述第一方差和第二方差以在当满足预设的迭代停止阈值时，停止移动并记录测量框在实测图中的目标位置，根据目标位置计算待测线的关键尺寸。本发明可降低定位漂移对关键尺寸测量的干扰，提高测量的可重复性和测量结果的准确性。
-
公开(公告)号：CN111462113A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010333221.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种无图形晶圆的复检方法。该方法包括：确定待复检缺陷图像；确定已采集图像的参考图像，并依据参考图像的灰度信息，确定已采集图像的第一灰度筛选区间；依据已采集图像的边缘图像中包含的灰度梯度信息，确定边缘图像的第一梯度筛选区间；依据第一灰度筛选区间和第一梯度筛选区间筛选出待复检缺陷图像中可疑缺陷像素，依据可疑缺陷像素确定待复检缺陷图像的目标缺陷筛选条件；依据目标缺陷筛选条件确定待复检缺陷图像中的目标缺陷像素。采用本申请方案，能减少只依靠一次筛选缺陷像素带来的误判，同时降低了过多采集图像造成晶圆损坏的风险，提高对缺陷像素的复检可靠性，以及提高电子束缺陷复检设备的准确率和速度/吞吐量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117197499A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311151492.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图像匹配方法，包括以下步骤：S1、获取模板图像，采集比所述模板图像的尺寸大的待匹配图像；S2、计算所述待匹配图像与所述模板图像的相似度，得到一个相似度系数矩阵S，获取所述相似度系数矩阵中所有元素中的最大值；S3、基于所述相似度系数矩阵及其最大值建立判断指标；S4、对所述判断指标进行计算以获取其结果，所述判断指标的结果为真或假；S5、若结果为真，则基于设定的权值w和所述最大值获取匹配分数，使得所述匹配分数大于最大值；S6、将所述匹配分数与设定的分数阈值比较，并根据比较结果判断是否匹配成功。通过设定针对相似度系数矩阵的判断指标，计算其真假，进而相应地调整匹配分数。
-
公开(公告)号：CN115856000A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211635380.7
申请日：2022-12-19
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01N23/2251 , G01N21/95 , G06T7/00 , G06T7/73
Abstract: 本发明公开了一种电子束晶圆缺陷复检设备的复检准备方法和复检方法，复检准备方法包括：在晶圆上片并获取初检信息和完成光学显微系统下的晶圆对准后，进行扫描电镜的图像灰度优化；在所述扫描电镜下的多级晶圆对准的实施中判断是否进行扫描电镜的自动聚焦，根据判断结果完成该级晶圆对准或所述自动聚焦，完成该级晶圆对准和其余更高级的晶圆对准；确定晶圆坐标系的参考点。所述方法优化了EBR设备复检准备流程，将判断是否执行快速自动聚焦的内容有机地穿插到WA之中，除去了现有技术中的步骤紊乱和冗余,降低了其不必要的SEM图像采集导致的损坏晶圆的风险，提升了所述复检准备工作的效率和精准度，也提升了设备的吞吐量。
-
公开(公告)号：CN111462113B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010333221.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种无图形晶圆的复检方法。该方法包括：确定待复检缺陷图像；确定已采集图像的参考图像，并依据参考图像的灰度信息，确定已采集图像的第一灰度筛选区间；依据已采集图像的边缘图像中包含的灰度梯度信息，确定边缘图像的第一梯度筛选区间；依据第一灰度筛选区间和第一梯度筛选区间筛选出待复检缺陷图像中可疑缺陷像素，依据可疑缺陷像素确定待复检缺陷图像的目标缺陷筛选条件；依据目标缺陷筛选条件确定待复检缺陷图像中的目标缺陷像素。采用本申请方案，能减少只依靠一次筛选缺陷像素带来的误判，同时降低了过多采集图像造成晶圆损坏的风险，提高对缺陷像素的复检可靠性，以及提高电子束缺陷复检设备的准确率和速度/吞吐量。
-
公开(公告)号：CN116245745A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211630143.1
申请日：2022-12-15
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种图像处理方法及图像处理设备，该方法包括：获取模板图像；对模板图像进行模糊处理以生成具有不同模糊程度的多个处理后的模板图像；获取待匹配图像；分别计算每个处理后的模板图像与待匹配图像的归一化相关系数，得到一组归一化相关系数矩阵，每个所述归一化相关系数矩阵对应于一个处理后的模板图像，每个归一化相关系数矩阵中的每个值对应于一个像素位置；将每个归一化相关系数矩阵的最大值划分到对应的最大值组中；以及分别计算每个最大值组的匹配分值，将匹配分值中的最大值作为最终值，将最终值对应的像素位置作为匹配位置。该图像处理方法具有更好的鲁棒性，能够避免图像的错匹配情况，提高对待匹配图像成像清晰度的宽容度。
-
公开(公告)号：CN112289726A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181837.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆对准的晶圆模板图像生成方法，能产生各级晶圆对准所需的高精度的模板图像，该晶圆模板图像生成方法包括：对所选模板区域，获得晶圆设计信息包括各层结构和层结构对应的材料信息，对正入射或接近正入射照明的光学成像系统包括OM系统和TDI系统，将晶圆表面结构划分微分区域，计算晶圆上各微分区域到图像采集单元感光区域中对应的微分像素反射率，用图像采集单元感光区域内微分像素反射率的平均值作为图像采集单元对应像素的原始值，并归一(映射)到像素灰度值数据类型所对应的取值范围，构成模板图像中各像素的灰度值。按照本发明实现的晶圆模板图像生成方法，能够避免设置Recipe时占用半导体设备工作时间，从而支持脱机产生Recipe,进一步提高半导体设备晶圆对准的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.033 seconds)
