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公开(公告)号：CN112289726A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011181837.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆对准的晶圆模板图像生成方法，能产生各级晶圆对准所需的高精度的模板图像，该晶圆模板图像生成方法包括：对所选模板区域，获得晶圆设计信息包括各层结构和层结构对应的材料信息，对正入射或接近正入射照明的光学成像系统包括OM系统和TDI系统，将晶圆表面结构划分微分区域，计算晶圆上各微分区域到图像采集单元感光区域中对应的微分像素反射率，用图像采集单元感光区域内微分像素反射率的平均值作为图像采集单元对应像素的原始值，并归一(映射)到像素灰度值数据类型所对应的取值范围，构成模板图像中各像素的灰度值。按照本发明实现的晶圆模板图像生成方法，能够避免设置Recipe时占用半导体设备工作时间，从而支持脱机产生Recipe,进一步提高半导体设备晶圆对准的可靠性。
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公开(公告)号：CN111462113B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010333221.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种无图形晶圆的复检方法。该方法包括：确定待复检缺陷图像；确定已采集图像的参考图像，并依据参考图像的灰度信息，确定已采集图像的第一灰度筛选区间；依据已采集图像的边缘图像中包含的灰度梯度信息，确定边缘图像的第一梯度筛选区间；依据第一灰度筛选区间和第一梯度筛选区间筛选出待复检缺陷图像中可疑缺陷像素，依据可疑缺陷像素确定待复检缺陷图像的目标缺陷筛选条件；依据目标缺陷筛选条件确定待复检缺陷图像中的目标缺陷像素。采用本申请方案，能减少只依靠一次筛选缺陷像素带来的误判，同时降低了过多采集图像造成晶圆损坏的风险，提高对缺陷像素的复检可靠性，以及提高电子束缺陷复检设备的准确率和速度/吞吐量。
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公开(公告)号：CN112289726B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011181837.2
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆对准的晶圆模板图像生成方法，能产生各级晶圆对准所需的高精度的模板图像，该晶圆模板图像生成方法包括：对所选模板区域，获得晶圆设计信息包括各层结构和层结构对应的材料信息，对正入射或接近正入射照明的光学成像系统包括OM系统和TDI系统，将晶圆表面结构划分微分区域，计算晶圆上各微分区域到图像采集单元感光区域中对应的微分像素反射率，用图像采集单元感光区域内微分像素反射率的平均值作为图像采集单元对应像素的原始值，并归一(映射)到像素灰度值数据类型所对应的取值范围，构成模板图像中各像素的灰度值。按照本发明实现的晶圆模板图像生成方法，能够避免设置Recipe时占用半导体设备工作时间，从而支持脱机产生Recipe,进一步提高半导体设备晶圆对准的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115439462A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211178307.1
申请日：2022-09-26
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法，该检测方法包括：分别获取对准之后的缺陷图像和参考图像中各像素或排除边缘像素后各像素的位置对应的局部图像；根据两个局部图像之间的相似度判断缺陷图像中的各个局部图像是否存在缺陷。采用基于局部图像之间的相似度的比较来降低由图像噪声较高而引起的误检，提高检测的准确率，降低检测的误检率，提高鲁棒性。
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公开(公告)号：CN114299032A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111647271.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种自动聚焦或像差校正的优化方法及带电粒子束设备，所述方法，包括：建立关于设备参数的评价函数，以评价自动聚焦或像差校正时的图像质量；建立用于评价第一算法的抗干扰性的判定条件，使用所述第一算法优化评价函数，并在符合所述判定条件时切换为使用第二算法优化评价函数，其中，所述第二算法的抗干扰性高于第一算法；获得当所述评价函数形成极值使得图像质量最优时的设备参数。本发明在第一算法满足判定条件时切换为使用第二算法优化评价函数，可以提高求解过程的抗干扰性，提高计算结果的准确性。
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公开(公告)号：CN114295081A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111660055.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明提供了一种关于线的关键尺寸的测量方法及带电粒子束设备，所述方法包括：提供模板图、实测图、待测量区域信息和矩形的测量框；在实测图中获取具有待测线的感兴趣区域，获取待测线的离散边缘点和边缘直线；计算旋转角、第一矢量距离和第二矢量距离，获取第二矢量距离对应的第一期望和第一方差；在所述模板图中获取参考的第二期望和第二方差；根据第一期望和第二期望的比较结果在实测图上进行测量框的移动，比较所述第一方差和第二方差以在当满足预设的迭代停止阈值时，停止移动并记录测量框在实测图中的目标位置，根据目标位置计算待测线的关键尺寸。本发明可降低定位漂移对关键尺寸测量的干扰，提高测量的可重复性和测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN111462113A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010333221.6
申请日：2020-04-24
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种无图形晶圆的复检方法。该方法包括：确定待复检缺陷图像；确定已采集图像的参考图像，并依据参考图像的灰度信息，确定已采集图像的第一灰度筛选区间；依据已采集图像的边缘图像中包含的灰度梯度信息，确定边缘图像的第一梯度筛选区间；依据第一灰度筛选区间和第一梯度筛选区间筛选出待复检缺陷图像中可疑缺陷像素，依据可疑缺陷像素确定待复检缺陷图像的目标缺陷筛选条件；依据目标缺陷筛选条件确定待复检缺陷图像中的目标缺陷像素。采用本申请方案，能减少只依靠一次筛选缺陷像素带来的误判，同时降低了过多采集图像造成晶圆损坏的风险，提高对缺陷像素的复检可靠性，以及提高电子束缺陷复检设备的准确率和速度/吞吐量。
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公开(公告)号：CN114295081B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111660055.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B15/00
Abstract: 本发明提供了一种关于线的关键尺寸的测量方法及带电粒子束设备，所述方法包括：提供模板图、实测图、待测量区域信息和矩形的测量框；在实测图中获取具有待测线的感兴趣区域，获取待测线的离散边缘点和边缘直线；计算旋转角、第一矢量距离和第二矢量距离，获取第二矢量距离对应的第一期望和第一方差；在所述模板图中获取参考的第二期望和第二方差；根据第一期望和第二期望的比较结果在实测图上进行测量框的移动，比较所述第一方差和第二方差以在当满足预设的迭代停止阈值时，停止移动并记录测量框在实测图中的目标位置，根据目标位置计算待测线的关键尺寸。本发明可降低定位漂移对关键尺寸测量的干扰，提高测量的可重复性和测量结果的准确性。
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