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公开(公告)号：CN112010260B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201910464896.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种键合设备、键合系统和键合方法，该键合设备包括键合键合腔体、真空系统、加压机构、第一加热/冷却机构、第一静电吸附机构、第二静电吸附机构和第二加热/冷却机构。第一静电吸附机构用于吸附第一基底，第二静电吸附机构用于吸附第二基底。通过第一静电吸附机构的吸附面与第一基底的表面完全接触，而且第一静电吸附机构的另一表面与第一加热/冷却机构完全接触，增加了第一基底与第一加热/冷却机构的温度传导面积，使得第二加热/冷却机构在对第二基底进行加热时，第一加热/冷却机构可以快速的冷却第一基底的温度，从而可以避免第一基底的温度太高，使得第一基底在键合前融化的问题，因此可以提高键合的良率。
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公开(公告)号：CN112582296A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910935165.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合装置及方法，承载模块用于承载晶圆，所述承载模块周向设置有若干晶圆定位单元和若干晶圆分隔单元，分别用于夹持晶圆和分隔重合的两个晶圆，驱动模块同步驱动所述晶圆定位单元和所述晶圆分隔单元按照一设定时序沿所述承载模块的径向往复移动，通过设置所述晶圆定位单元和所述晶圆分隔单元的时序，可以在所述晶圆键合装置中实现晶圆的定位、夹持和键合，不需要额外的夹具和对准机，从而提高了键合的效率，降低了制备成本，并且整机质量小，占用空间也较小，内部结构紧凑且可靠性很高。
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公开(公告)号：CN112010260A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910464896.1
申请日：2019-05-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种键合设备、键合系统和键合方法，该键合设备包括键合键合腔体、真空系统、加压机构、第一加热/冷却机构、第一静电吸附机构、第二静电吸附机构和第二加热/冷却机构。第一静电吸附机构用于吸附第一基底，第二静电吸附机构用于吸附第二基底。通过第一静电吸附机构的吸附面与第一基底的表面完全接触，而且第一静电吸附机构的另一表面与第一加热/冷却机构完全接触，增加了第一基底与第一加热/冷却机构的温度传导面积，使得第二加热/冷却机构在对第二基底进行加热时，第一加热/冷却机构可以快速的冷却第一基底的温度，从而可以避免第一基底的温度太高，使得第一基底在键合前融化的问题，因此可以提高键合的良率。
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公开(公告)号：CN107976875A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610926006.0
申请日：2016-10-24
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F9/7003
Abstract: 本发明公开了一种基片对准装置及对准方法，该装置包括：承载第一基片的第一运动台；承载第二基片的第二运动台；光路运动机构，位于第一基片和第二基片之间，沿水平运动；光路成像系统，设于光路运动机构上；光路偏移测量装置，固设于光路运动机构上；控制器，与第一运动台、光路成像系统和光路偏移测量装置连接，控制第一运动台运动进行调整。光路成像系统在光路运动机构的带动下，对第一、第二基片上的标记位置进行检测，通过光路偏移测量装置测量光路运动机构在运动过程中产生的偏差，通过垂向偏移测量装置测量垂向运动台在垂向运动中引起的水平向偏差，控制器根据测量的偏差控制第一运动台运动进行补偿校正，提高基片的对准精度。
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公开(公告)号：CN107342241A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201610285784.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L24/799 , H01L24/98 , H01L2224/7999 , H01L2224/98
Abstract: 本发明提出了一种解键合装置和方法，包括上吸盘，用于吸附键合片上表面；下吸盘，用于吸附键合片下表面；所述上吸盘上安装有加热器，所述下吸盘上具有恒温结构。本发明在需要解键合的键合片两侧上设置上吸盘和下吸盘，在上吸盘上设置加热器加热键合片的一侧，在下吸盘上的恒温结构可以使键合片的该侧保持恒温冷却，这样防止键合片内的胶层全部融化，避免由于胶层全部融化而产生的厚度变小、溢出以及胶层对硅片产生的磨损问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692289A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110874644.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种硅片对准装置及硅片对准方法，用于将两个硅片进行对准键合，包括：两个相对设置的装载模块，分别具有一个用于装载所述硅片的装载面，两个所述装载面相对设置；至少一个对准接触模块，设置于至少一个所述装载模块上，用于向所述硅片提供顶力；至少一个真空吸附结构，设置于具有所述对准接触模块的装载模块的装载面上，每个所述真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域；根据两个所述硅片的倍率值调整任一所述真空吸附结构的至少部分所述真空吸附区域的吸附力，以使两个所述硅片的倍率值的差值减小。本发明减小了两个硅片之间的倍率差，以提高对准键合精度。
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公开(公告)号：CN112038256A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910482297.2
申请日：2019-06-04
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种加热装置和键合装置，所述加热装置用于加热工件，包括底座，以及依次叠加的表层、上支撑层、加热件和下支撑层，所述下支撑层靠近所述底座设置，所述表层、上支撑层、加热件和下支撑层与所述底座连接，所述表层用于使工件均匀受热，所述加热件用于产生热量，所述上支撑层和所述下支撑层用于支撑所述加热件。本发明中可通过呈片状的加热件产生热量，并通过上支撑层和表层将热量传递给工件，从而减小加热装置的厚度、减轻加热装置的重量，从而可提升加热效率、加快温度传导速率。
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公开(公告)号：CN107976875B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201610926006.0
申请日：2016-10-24
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明公开了一种基片对准装置及对准方法，该装置包括：承载第一基片的第一运动台；承载第二基片的第二运动台；光路运动机构，位于第一基片和第二基片之间，沿水平运动；光路成像系统，设于光路运动机构上；光路偏移测量装置，固设于光路运动机构上；控制器，与第一运动台、光路成像系统和光路偏移测量装置连接，控制第一运动台运动进行调整。光路成像系统在光路运动机构的带动下，对第一、第二基片上的标记位置进行检测，通过光路偏移测量装置测量光路运动机构在运动过程中产生的偏差，通过垂向偏移测量装置测量垂向运动台在垂向运动中引起的水平向偏差，控制器根据测量的偏差控制第一运动台运动进行补偿校正，提高基片的对准精度。
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公开(公告)号：CN108511363B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201710114464.9
申请日：2017-02-28
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种键合装置，包括真空腔体、设于所述真空腔体内用于装载第一片材的上键合板机构、设于所述上键合板机构上的波纹管单元、与所述波纹管单元连通的气源、与所述气源连接的控制器以及用于装载第二片材的下键合板机构，所述波纹管单元包括若干尺寸不同的波纹管，所述气源包括若干相互独立的气路，所述气路与所述波纹管一一对应，在将所述第一片材与所述第二片材进行键合时，所述控制器根据第一片材的位置和尺寸，控制覆盖所述第一片材的波纹管对应的所述气路充气，为所述第一片材提供正压力，同时控制其他位置的波纹管对应的所述气路抽气，为所述第一片材提供负压力。本装置可以实现多个相同或不同规格晶圆同时键合，大大提高了产率。
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公开(公告)号：CN110970322A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811162219.6
申请日：2018-09-30
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种芯片贴片设备和芯片贴片方法，其中该芯片贴片设备包括：供料单元、芯片传输单元和芯片贴合单元；供料单元包括物料组件和至少两个取片手，物料组件用于承载芯片，至少两个取片手用于从物料组件上交替拾取芯片；芯片传输单元包括一个可旋转转台，可旋转转台上设置有多个芯片吸附区，芯片吸附区用于吸附至少两个取片手提供的芯片；芯片贴合单元包括贴片台和至少两个贴片手，至少两个贴片手用于交替从芯片吸附区获取芯片并将芯片贴合至位于所述贴片台上的衬底上。本发明提供的芯片贴片设备及芯片贴片方法，实现了至少两个取片手和至少两个贴片手的并行运行方式，提高了贴片效率，有助于促进芯片封装的进程和提高芯片的产率。
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