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公开(公告)号：CN110504203B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201810481198.8
申请日：2018-05-18
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体公开了一种工作台及背面对准装置。本发明公开的工作台包括水平基座、气足、吸盘和第一导气组件；水平基座上开设有贯穿水平基座上表面的透光孔；气足设置在水平基座上，且能相对水平基座在水平面上移动，气足上间隔开设有多个第一通光孔，当气足在水平基座上移动时，多个第一通光孔能分别与透光孔导通；吸盘设置在气足上方，能相对气足进行三个自由度上的转动及沿垂直方向平移，吸盘对应于第一通光孔的位置开设有第二通光孔；第一导气组件，吸盘上表面设置有用于吸附基底的第一吸附气道，第一导气组件一端与气足连通，另一端与第一吸附气道连通。本发明提供的工作台及背面对准装置，结构简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN112309947B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910691314.3
申请日：2019-07-29
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/683 , G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻技术领域，具体公开了一种吸附装置、曝光装置、光刻设备及吸附方法。吸附装置包括：吸盘，吸盘的基底吸附面环绕其中心开设有安装凹槽，且基底吸附面于安装凹槽的内侧开设有用于与真空源连通的吸附凹槽；密封圈，其下端密封设置在安装凹槽内，其上端用于与基底接触；当密封圈未与基底接触时，密封圈的上端凸出吸附面，当吸附凹槽处于真空状态时，密封圈完全位于安装凹槽内，且密封圈的上端与基底吸附面平齐。曝光装置包括上述吸附装置，光刻设备包括上述曝光装置，吸附方法应用于上述吸附装置对基底进行吸附。本发明公开的吸附装置、曝光装、光刻设备和吸附方法能够提高对翘曲基底的吸附能力，提高曝光稳定性和光刻质量。
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公开(公告)号：CN118226710A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211651717.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种工件台系统及其工作方法，所述工件台系统包括：微动模块、粗动模块、冲击力吸收模块、吊框、底部框架和主动减震模块；所述吊框和所述底部框架之间通过所述主动减震模块隔离，所述吊框为所述微动模块提供垂向气浮支撑；所述粗动模块通过所述冲击力吸收模块设置于所述底部框架，所述底部框架为所述冲击力吸收模块提供垂向气浮支撑，所述冲击力吸收模块用于吸收所述粗动模块在移动过程中产生的冲击力；所述微动模块和所述粗动模块采用分体设计，且所述微动模块运动时，所述粗动模块跟随所述微动模块的运动。采用本发明实施例提供的所述工件台系统，工件台移动精度可提高到30nm。
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公开(公告)号：CN117012691A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210474915.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种吸盘、硅片吸附装置、曝光设备及翘曲硅片吸附方法，所述吸盘包括：吸盘本体、密封圈组和软吸盘组；所述密封圈组包括至少两个密封圈，至少两个所述密封圈在所述吸盘本体上呈同心环状分布，将所述吸盘本体划分为中心吸附区域和周边吸附区域，所述中心吸附区域和所述周边吸附区域内分别布置有一所述软吸盘组。从而，可以根据薄(软)翘曲硅片的特点对其分段或分区域吸附，先在吸附过程中位于不同吸附区域的软吸盘组的高度随着硅片的下降而发生变化，起到一定支撑缓冲作用，从而可以解决硅片面型超差严重的问题。
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公开(公告)号：CN111650815B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201910161037.5
申请日：2019-03-04
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻技术领域，具体公开了一种掩模台和光刻系统，其中掩模台包括：支撑底座；承版台，滑动连接在支撑底座的上端面上；两组Y向运动机构，设置在支撑底座上，且两组Y向运动机构分别设置在承版台沿X方向的两侧；X向运动机构，设置在Y向运动机构上且与承版台连接，Y向运动机构带动X向运动机构沿Y方向运动，Y方向与X方向垂直。光刻系统包括上述掩模台。本发明公开的掩模台和光刻系统，能够减小掩模台和光刻系统的体积，降低掩模台和光刻系统的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110376847B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201810327823.3
申请日：2018-04-12
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基底边缘保护环单元、光刻设备及保护方法。基底边缘保护环单元包括保护环和保护环托盘；所述保护环上设有第一固定部件，所述保护环托盘上设有与所述第一固定部件对应的第二固定部件，当所述保护环置于所述保护环托盘上时，所述第一固定部件与所述第二固定部件配合，将所述保护环固定在所述保护环托盘上。本发明实施例提供的基底边缘保护环单元，对保护环进行位置固定，避免保护环在传输过程中发生位置偏移，保证保护环抓取单元能够精准的抓取保护环，进而保证了放环精度；同时，由于无需手工进行位置对准，提高了放环效率和设备产率。
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公开(公告)号：CN110609448B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810615331.4
申请日：2018-06-14
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种硅片边缘保护装置，包括保护环、水平抓环机构及垂向运送机构，所述水平抓环机构用于水平抓取及放下所述保护环；所述垂向运送机构可拆卸连接于所述水平抓环机构上方，所述垂向运送机构能够带动所述水平抓环机构垂向运动，并能在失去动力时向上拉动所述水平抓环机构。本发明提供的硅片边缘保护装置，能实现在突然断电或断气等失去动力的异常情况时将水平抓环机构向上拉起，避免水平抓环机构与工作台发生碰撞，从而有效保护硅片，且提高了装置维护的便利性，提高了垂向运动精度。
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公开(公告)号：CN110119069A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201810113746.1
申请日：2018-02-05
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种基底吸附装置、光刻设备及吸附方法，其中，吸附装置包括吸附机构，以及与吸附机构相对设置的整形机构，吸附机构和整形机构之间形成基底容纳空间；吸附机构包括吸盘，吸盘表面上分布有多个吸气孔，吸盘用于从第一侧吸附基底容纳空间内的基底；整形机构用于从与第一侧相对的第二侧对基底容纳空间内的基底作用，以与吸盘配合对基底容纳空间内的基底进行整平。本发明实施例通过设置与吸附机构相对的整形机构，吸附机构通过吸盘上的吸气孔，吸附基底片，整形机构与吸盘配合对基底进行整平，使基底完全吸附在吸盘上，实现了对大翘曲量基底的整平及完全吸附，提高了基底曝光质量和良率，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN119725203A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311280517.6
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种应用于大基底的运动平台、半导体设备及图像采集方法，应用于大基底的运动平台包括：转动座、第一吸附组件、第二吸附组件、基座以及转动驱动组件；所述转动座以可沿自身中轴线为中心转动的方式安装于所述基座上；所述第一吸附组件升降的设置于所述基座；所述第二吸附组件设置于所述转动座，所述第二吸附组件设置有供所述第一吸附组件升高时使其一部分穿过的通孔；所述第一吸附组件升高时穿过所述通孔、降低时退出所述通孔。如此配置，该运动平台不仅具备吸附晶圆或基板的功能，同时也可以可大角度旋转运动，能够保证运动平台尺寸保持较小的前提下，配置离轴面阵相机对基板或晶圆范围全覆盖图像采集的需求。
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公开(公告)号：CN119480730A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411546530.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种基板交接方法、基板交接系统和可读存储介质，该方法包括采用闭环模式控制升降机构运动至第一目标工位；采用开环模式控制升降机构按照第一预设正向出力规则在每个正向出力开环控制周期输出对应的出力直至升降机构的位置达到或高于第二目标工位，并在满足第一预设条件时，开启升降机构的真空，待升降机构吸附住待交接基板后，关闭用于承载待交接基板的承载件的真空；采用开环模式控制升降机构按照第一预设反向出力规则输出对应的出力，直至满足第一预设闭环控制切换条件。本发明可以解决机台对不同类型的基板的适应性问题，保证交接过程出力平顺，实现基板的平稳交接。
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