一种C掺杂TiAlN涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN112831752A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN202011644146.1

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种C掺杂TiAlN涂层的制备方法,依次包括Ti、TiN、TiAlN和TiAlCN梯度复合涂层,其中,所述的TiAlCN层的制备方法为:启动AlTi靶,设置炉腔温度420‑480℃,真空度0.006‑0.010mbar,偏压大小‑80V,氮气的流量150‑160sccm,乙炔的流量20‑80sccm,通过AlTi靶材电流为90A‑110A,沉积持续时间20‑30min。该涂层的摩擦系数在0.25‑0.35,涂层的硬度在2800HV‑3500HV,耐腐蚀性能好,具有良好的市场前景,可以广泛应用于刀具、模具、航空航天、汽车零部件等产业。

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