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公开(公告)号：CN112216749A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011093122.1
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种具有高阻钝化层的碲锌镉(CZT)晶体探测器及其制备方法，所述CZT单晶的结构为高阻钝化层‑半导体‑高阻钝化层的三明治结构；在制备中，选取纯度为99.99999％的高纯Cd、Zn、Te材料作为垂直布里奇曼法生长CZT晶体的原料，获得晶体后切片、划片获得所需衬底，经抛光和腐蚀后采用射频磁控溅射沉积方法在样品上生长高阻钝化层；经过光刻和等离子体刻蚀后，使用电子束蒸发方法继续在单晶上沉积Au电极。本发明是一种有效的钝化CZT表面的方法，高阻钝化层能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶体表面电阻率，最终提高探测器的电学性能和后续器件制成的稳定性和寿命。
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公开(公告)号：CN111883619B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010771843.7
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，采用移动加热器法完成晶体的生长，依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置，完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备，为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
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公开(公告)号：CN111900213A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010771822.5
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。
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公开(公告)号：CN112349797A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011093126.X
申请日：2020-10-13
IPC: H01L31/0336 , H01L31/119 , H01L31/18 , G01T1/24
Abstract: 一种碲锌镉探测器的器件结构，包括有：由CZT及Si构成的复合晶体；设于复合晶体两端的电极及设于复合晶体侧壁的弗里希栅极；一种碲锌镉探测器的制备工艺，针对此结构的探测器进行。形成依次的：硅片预处理、碲锌镉表面处理、单晶硅与碲锌镉进行低温键合、电极制备、表面钝化、弗里希栅制备工序。本发明的一种碲锌镉探测器的器件结构及其制备工艺，从结构本身的设置及工艺方面，在着重探测器的探测效率及能量分辨率基础上，兼顾考量漏电流问题及键合问题，最终形成漏电流小、系统的信噪比高、构成探测器的复合晶体内部键合强度高的一种高探测效率及高能量分辨率的探测器。
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公开(公告)号：CN111883619A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010771843.7
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0296 , H01L31/08 , C30B33/10
Abstract: 一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，采用移动加热器法完成晶体的生长，依次包括由生长炉温度场分布的设定、各组分化学计量比的配比完成、合料形成多晶料锭、建立回溶控制步序、单晶晶片的切割制成、制备电极阴阳极面的区分、晶体表面处理、电极制备、钝化处理构成的工序。本发明的一种核辐射探测器用电极的构成及晶体的制备方法，通过上述步序形成的晶体生长控制与电极结构设置，完成了具有载流子迁移率高、表面光滑、成分均匀的晶体及高质量的欧姆接触特性的探测器用复合电极的制备，为探测器的优秀能谱响应提供了保障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111900213B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010771822.5
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。
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公开(公告)号：CN103789765A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410000760.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法，该方法是先用真空热蒸镀的方法将Ag粉蒸镀到不同倾斜角度的基片上，得到镀有Ag薄膜的基片；然后，配制合适浓度的硝酸锌溶液，在水浴环境中磁力搅拌，加入三乙醇胺使溶液呈弱碱性，然后将上面得到的有Ag的基片放入此混合溶液中，反应，得到Ag/ZnO核壳结构物。本发明采用斜角热蒸发法制备Ag薄膜，湿化学方法制备ZnO壳层，得到ZnO包覆Ag的纳米级材料；包覆均匀、工艺简单可控、成本低；制备的Ag/ZnO核壳结构材料在生物探针、环境检测、医药学等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN102683490A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210140490.6
申请日：2012-05-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及探测器级CdZnTe(CZT)晶体表面制备In重掺杂形成Au/In欧姆特性电极的工艺方法，应用与CZT探测器制备工艺技术领域。本发明是在CZT晶体表面用磁控溅射法制备一层In电极，再制备一层Au电极，对晶体封装之后做高温退火。这样使CZT表面形成一层较薄的In重掺杂区，使金-半导体接触区势垒区宽度变得很薄，容易形成隧道电流。与传统的单一Au电极比较，能更好地改善金属与半导体的欧姆接触性能。
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公开(公告)号：CN101887849B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010215711.2
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/208
Abstract: 本发明涉及一种两步沉积法制备ZnO薄膜的方法及其装置，属纳米晶体薄膜制备方法技术领域。本发明方法的特点是：综合利用了超声雾化热解法和溶胶-凝胶法的原理和设备，分两步沉积ZnO薄膜。第一步是用改进的超声雾化热解法设备制备ZnO纳米颗粒。该设备的特征主要有在喷雾的导管上增加一个高压发生源和荷电喷头，并用一根石英管贯穿整个加热炉，使之直接通向装有一定量去离子水的烧杯里。第二步是使用超声波清洗器和离心机反复清洗ZnO纳米颗粒，最后通过旋涂机旋涂到衬底上。采用本方法避免了超声雾化热解法制备过程中产生的气溶胶对环境的污染，并获得结晶质量高的ZnO薄膜。
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公开(公告)号：CN112133775B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010919307.7
申请日：2020-09-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/117 , H01L31/18 , G01T1/161 , G01T1/24 , G01T1/36
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸收区，SiPM作为载流子的倍增放大区，形成吸收区和倍增区分离的高探测灵敏度的CZT/Si核辐射探测器。当采用SiPM的结构时，整个器件作为高灵敏探测器应用；当将单个或部分APD单元作为像素单元时，可用作高灵敏像素探测器。为下一代康普顿γ相机、单光子发射计算机断层扫描、正电子发射断层扫描仪器成像仪器提供具有单光子计数能力的、高能量分辨率、高空间分辨率、高时间分辨率、高探测灵敏度和高探测效率的探测器件。
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