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公开(公告)号：CN106283195B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN106981500A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710082403.9
申请日：2017-02-16
申请人： 上海大学
CPC分类号： H01L27/3227 , H01L51/001 , H01L51/56
摘要： 本发明公开了一种全钙钛矿的太阳能电池和LED显示集成系统及其制备方法，采用单步溶液法生长MAPbI3‑xClx薄膜，通过导线，将钙钛矿的太阳能电池的阳极与LED显示器件的阴极串联，并将钙钛矿的太阳能电池的阴极衬底和LED显示器件的阳极衬底串联，形成闭合回路，太阳能电池吸收太阳能，并放出电能为LED显示器件供电，完成太阳能电池和LED显示器件集成旋涂的制备，做到全钙钛矿系统，原材料相对易得，节省原材料和制作工序更加具有经济效应。本发明分别制备出高效的钙钛矿太阳能电池和LED显示器，最后进行集合，工序简单，便于流水线制备，而且节约材料，省时省能，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106098948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610408763.9
申请日：2016-06-13
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L51/48
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/0008
摘要： 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。
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公开(公告)号：CN110565165A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN107779953A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710821497.7
申请日：2017-09-13
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体材料制造技术领域，其步骤：(a).将有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中，再加入无机卤化物晶体粉末，放在磁力搅拌机上搅拌，使其完全溶解,直至饱和；溶解后，将其过滤，得到长晶的无机卤化物溶液；(b).将步骤(a)的长晶的溶液放置在加热台上进行油浴加热，生长出正方体的无机卤化物单晶晶体；取出上述无机卤化物单晶晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得无机卤化物闪烁晶体。该方法操作方便，所用原料成本低廉，能够从无机卤化物的溶液来析出高质量的单晶晶体。
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公开(公告)号：CN110565165B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN106283195A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
申请人： 上海大学
摘要： 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN106917064A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710082345.X
申请日：2017-02-16
申请人： 上海大学
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/021 , C23C14/243 , C23C14/5806 , H01L51/001
摘要： 本发明公开了一种单步原位闪蒸法生长ABX3型钙钛矿薄膜的制备方法，应用于新型材料制造工艺领域。钙钛矿薄膜制备方法如下：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，在衬底上添加加热装置，待真空度达到一定要求之后，在样品衬底温度为一定温度的条件下，采用瞬间快速将电流迅速加至不低于200A，使蒸发舟温度瞬间达到不低于1000℃的温度，材料瞬间升华，最后直接在真空腔体中进行后退火，得到稳定的ABX3型钙钛矿薄膜。本发明采用单步原位闪蒸法制备的钙钛矿薄膜，能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件。
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公开(公告)号：CN106449978A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610536003.6
申请日：2016-07-10
申请人： 上海大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/4206 , H01L51/0003 , H01L51/0026
摘要： 基于甲氨基氯化铅薄膜的可见光盲紫外探测器的制备方法。本发明涉及一种叉指型共平面金属-半导体-金属(MSM)结构的甲氨基氯化铅(CH3NH3PbCl3)薄膜可见光盲紫外探测器的制备。其中CH3NH3PbCl3薄膜是通过混合连续沉积过程形成的，首先氯化铅(PbCl2)通过热蒸发法先沉积在衬底上，然后旋涂上一层氯化甲胺(CH3NH3Cl)，最后通过退火，使PbCl2和CH3NH3Cl反应生成致密的且结晶度良好的CH3NH3PbCl3薄膜。这种探测器在360nm的响应率高达15.6A/W，电流开关比接近两个数量级。这些结果表明CH3NH3PbCl3薄膜探测器在可见光盲紫外探测器的应用方面极具竞争力。
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