公开(公告)号：CN106098948A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610408763.9

申请日：2016-06-13

申请人： 上海大学

发明人： 徐闰 ,  吴杨琳 ,  徐海涛 ,  王文贞 ,  蔡江 ,  季欢欢 ,  许富宗 ,  倪超伟 ,  黄健 ,  王林军

IPC分类号： H01L51/48

CPC分类号： Y02E10/549 ,  H01L51/0008

摘要： 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。