-
公开(公告)号：CN119277842A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411192975.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基锗跑道型微环光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和跑道型硅微环(006)，跑道型硅微环(006)的长轴垂直于硅母线波导(001)，跑道型硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的部分圆弧段为耦合区(020)，跑道型外硅微环(006)两条直线段的上表面有锗吸收层(004)。相较于圆形的Ge‑on‑Si微环结构，跑道型微环只在直线段制备Ge‑on‑Si结构，解决了锗和硅的晶格失配导致的环形锗难以生长、锗层质量差、良品率低的问题，在性能方面，跑道环在仿真中的谐振强度、光强倍增因子等都高于圆形环。
-
公开(公告)号：CN118413273A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410595990.1
申请日：2024-05-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种2μm波段的高质量光生微波实现系统，包括光源，其特征在于：光源射出的光依次通过光放大器、光隔离器、偏振控制器进入强度调制器，强度调制器中由射频源和直流源驱动。用射频源输出正弦类型的射频调制信号，并用直流源输出直流偏置电压，驱动强度调制器以产生光频梳，将光频梳输入接收端的光电探测器进行光电能量转换得到光生微波。将光生微波技术扩展至2μm波段并利用空芯光子带隙光纤传输，能够获得更高的传输及光电转换效率。仅使用单个强度调制器产生光学频率梳，将光频梳应用于光生微波的合成，利用其天然的相位相干性以及频率间隔稳定性，使其在光电探测器处能够拍频产生高相位噪声性能的高质量光生微波。
-
公开(公告)号：CN120011010A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510001133.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多维度资源优化的异构任务调度方法，利用节点资源采集系统对节点的实时资源利用率信息进行采集并预先通过历史数据统计判断所有待调度任务的类型；然后通过AHP层次分析法确定不同类型任务的参数权重，接着构建多维节点资源矩阵并设定负载因子和速率因子；将资源矩阵正向化、标准化处理以后，根据任务的资源权重与欧氏距离公式相结合计算出节点距离最优解，最劣解大小，然后计算欧氏距离得分；最后在速率因子和负载因子的调整下，计算当前任务在各个节点的调度得分并预选择得分最高的节点调度。该方法相较于传统方法更最大化系统集群的资源利用率，更为合理地实施资源的负载均衡分配。
-
公开(公告)号：CN115968187A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211564916.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜的转移印刷技术，所需设备元件包括两个定位板组合成的定位台、载物台、待转印元件及电路板，技术步骤如下：步骤1：薄膜两端与定位台固定，调整定位板间的距离将薄膜拉成平面；步骤2：固定待转印元件于载物台上；步骤3：调整定位板间的距离使薄膜与待转印元件接触并粘附；步骤4：锡膏涂覆电路板焊盘，并将电路板置于载物台上；步骤5：调整定位板间的距离控制薄膜使待转印元件与电路板的待转印位置进行接触，薄膜与待转印元件脱离，待转印元件被固定在电路板位置上；步骤6：控制温度固化锡膏，完成转印。该技术拓展了微转印技术的应用范围，为更多的器件、材料提供使用转印技术的可能性，简化其原先的制作工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115968187B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202211564916.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜的转移印刷技术，所需设备元件包括两个定位板组合成的定位台、载物台、待转印元件及电路板，技术步骤如下：步骤1：薄膜两端与定位台固定，调整定位板间的距离将薄膜拉成平面；步骤2：固定待转印元件于载物台上；步骤3：调整定位板间的距离使薄膜与待转印元件接触并粘附；步骤4：锡膏涂覆电路板焊盘，并将电路板置于载物台上；步骤5：调整定位板间的距离控制薄膜使待转印元件与电路板的待转印位置进行接触，薄膜与待转印元件脱离，待转印元件被固定在电路板位置上；步骤6：控制温度固化锡膏，完成转印。该技术拓展了微转印技术的应用范围，为更多的器件、材料提供使用转印技术的可能性，简化其原先的制作工艺。
-
公开(公告)号：CN119511446A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411831486.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种新型异质集成光源绝热耦合结构，包括有源波导结构和无源波导结构，其特征在于：无源波导结构包括平板硅芯和脊硅芯003，脊硅芯003一端有宽度逐渐变小的无源耦合段011，在无源耦合段011上方叠加有源波导结构002，有源波导结构002的有源耦合段012为楔形。光从无源波导输入进入无源耦合段011，此段脊硅芯003宽度逐渐减小，而有源耦合段012的宽度逐渐增加，在此过程中硅波导与有源波导有效折射率相匹配，部分光信号通过绝热耦合的方式从无源耦合段011进入有源耦合段012中。通过本发明所提出的锥形耦合结构可以实现光在无源硅波导‑异质集成光源有源波导之间的极低损耗传输，有效地降低了两者之间的耦合损耗。
-
公开(公告)号：CN117747446A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311614059.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种将器件从蓝膜转移到硅片的转移印刷方法，属于转移印刷技术领域,技术步骤如下：薄膜固定在定位装置上，调节定位器间的距离和高度获得要求薄膜形状，要求的薄膜形状呈曲线状→将顶针安装固定在载物台上，然后依次放置蓝膜和待转印器件至顶针的上方→调节定位装置带动薄膜下降，顶针顶起而后调节定位装置使薄膜与待转印器件接触并完成提升拾取→移动载物台带着待转印器件位移至接收衬底正上方，然后降低定位器高度使待转印器件与接收衬底接触。通过改变了转印时薄膜的形态，该薄膜结构可以提供更大的粘附力用于器件的拾取，实现了器件从蓝膜到光滑接收衬底上的转印过程。将器件打印在粘附力非常小的衬底上，具有广泛的通用性。
-
公开(公告)号：CN115939231A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211485089.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/09 , A61B5/145 , A61B5/1455
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和硅微环(006)，硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的一段为耦合区(020)，除耦合区(020)外硅微环(006)的上表面有锗吸收层(004)。本发明利用半导体材料的双光子吸收效应，并利用硅基平台以及微环谐振腔结构，实现了低成本、高集成度的2μm波段光电探测器，并对光电探测器的结构做出了优化，将单层硅微环改为Ge‑on‑Si双层微环，并对耦合区的锗微环进行了部分刻蚀的处理，处理后的微环探测器在保留了与成熟的互补金属氧化物半导体技术兼容的特点的同时，在数值仿真中取得了良好的探测效果。
-
公开(公告)号：CN115576054A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211405474.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了基于渐变折射率波导和二维倒锥形波导集成的模斑转换器，包括硅衬底、渐变折射率波导、二氧化硅衬底、二维倒锥形波导以及包层，所述二氧化硅衬底、二维倒锥形波导、包层依次位于二氧化硅衬底上方一侧，渐变折射率波导位于硅衬底上方另一侧并与二维倒锥形波导贴合；所述渐变折射率波导相对面分别设置有第一输入端口和第一输出端口，二维倒锥形波导的长轴两端设置有第二输入端口和第二输出端口，第一输出端口与第二的输入端口贴合；入射光从第一输入端口入射，经由渐变折射率波导进行聚束后从第一输出端口输出，然后经由第二输入端口入射到二维倒锥形波导中进行绝热传输，最后经由由第二输出端口输出与集成硅波导耦合。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
