公开(公告)号：CN119277842A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411192975.9

申请日：2024-08-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  黄龙鑫 ,  朱政龙 ,  郑施冠卿 ,  吴沂浙 ,  吴俊衍 ,  段浩

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/40 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明公开了一种硅基锗跑道型微环光电探测器，包括硅波导层(012)，硅波导层(012)上表面有脊型的硅母线波导(001)和跑道型硅微环(006)，跑道型硅微环(006)的长轴垂直于硅母线波导(001)，跑道型硅微环(006)靠近硅母线波导(001)的部分圆弧段为耦合区(020)，跑道型外硅微环(006)两条直线段的上表面有锗吸收层(004)。相较于圆形的Ge‑on‑Si微环结构，跑道型微环只在直线段制备Ge‑on‑Si结构，解决了锗和硅的晶格失配导致的环形锗难以生长、锗层质量差、良品率低的问题，在性能方面，跑道环在仿真中的谐振强度、光强倍增因子等都高于圆形环。

公开(公告)号：CN119511446A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411831486.3

申请日：2024-12-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  吴沂浙 ,  郑施冠卿 ,  黄龙鑫 ,  朱政龙 ,  吴俊衍 ,  段浩

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/24 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种新型异质集成光源绝热耦合结构，包括有源波导结构和无源波导结构，其特征在于：无源波导结构包括平板硅芯和脊硅芯003，脊硅芯003一端有宽度逐渐变小的无源耦合段011，在无源耦合段011上方叠加有源波导结构002，有源波导结构002的有源耦合段012为楔形。光从无源波导输入进入无源耦合段011，此段脊硅芯003宽度逐渐减小，而有源耦合段012的宽度逐渐增加，在此过程中硅波导与有源波导有效折射率相匹配，部分光信号通过绝热耦合的方式从无源耦合段011进入有源耦合段012中。通过本发明所提出的锥形耦合结构可以实现光在无源硅波导‑异质集成光源有源波导之间的极低损耗传输，有效地降低了两者之间的耦合损耗。

公开(公告)号：CN117747446A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311614059.5

申请日：2023-11-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 叶楠 ,  程强 ,  王兆璁 ,  郑施冠卿 ,  吴沂浙 ,  陈健 ,  李迎春 ,  张俊杰 ,  张倩武 ,  曹炳尧 ,  汪敏

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种将器件从蓝膜转移到硅片的转移印刷方法，属于转移印刷技术领域,技术步骤如下：薄膜固定在定位装置上，调节定位器间的距离和高度获得要求薄膜形状，要求的薄膜形状呈曲线状→将顶针安装固定在载物台上，然后依次放置蓝膜和待转印器件至顶针的上方→调节定位装置带动薄膜下降，顶针顶起而后调节定位装置使薄膜与待转印器件接触并完成提升拾取→移动载物台带着待转印器件位移至接收衬底正上方，然后降低定位器高度使待转印器件与接收衬底接触。通过改变了转印时薄膜的形态，该薄膜结构可以提供更大的粘附力用于器件的拾取，实现了器件从蓝膜到光滑接收衬底上的转印过程。将器件打印在粘附力非常小的衬底上，具有广泛的通用性。