公开(公告)号：CN105891949A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610338171.4

申请日：2016-05-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 张方方 ,  李冬梅 ,  杨伟光 ,  黄璐 ,  沈春夏 ,  马磊 ,  刘功龙 ,  史伟民

IPC: G02B6/122

CPC classification number: G02B6/1225 ,  G02B2006/12176

Abstract: 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。

公开(公告)号：CN103489749B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310111713.0

申请日：2013-04-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  戴文韫 ,  瞿晓雷 ,  邱宇峰 ,  史伟民

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种多循环快速热退火辅助金属诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将氯化镍溶于酒精和甲苯的混合溶液，并加入乙基纤维素，配成粘稠性溶液；将该溶液旋涂，随后在400℃退火2小时；再进行快速热退火处理，升温速率在150~200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至600℃左右再恒温15s，然后自然冷却，待薄膜温度降到室温后再进行下一次快速热退火；经过三次快速热退火后可使非晶硅薄膜晶化。和传统固相晶化法和常规金属诱导晶化法相比，降低了退火温度，减少了残余金属污染物量，缩短了退火时间，工艺简单、成本低。

公开(公告)号：CN104851798A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法， IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN102709182B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210201410.3

申请日：2012-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 金晶 ,  瞿晓雷 ,  史伟民 ,  邱宇峰 ,  周平生 ,  廖阳

IPC: H01L21/324

Abstract: 本发明涉及两步退火辅助氯化镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在载玻片衬底上沉积非晶硅薄膜；将溶有氯化镍的乙醇溶液加入到乙基纤维素、酒精、甲苯的混合溶液中，得到粘稠的溶液并将其旋涂在非晶硅薄膜表面，随后在400oC～450oC退火1～2小时先形成NiSi2作为晶种层，再升温到500oC～550退火1～4小时诱导晶化。经过两步退火后可获得晶化率在80%左右，晶粒大小在200nm左右的多晶硅薄膜。和常规物理法金属诱导的方法相比，所制得的多晶硅薄膜更加均匀且金属残余污染更小，因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。

公开(公告)号：CN102544214B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201210001623.1

申请日：2012-01-05

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  刘晟 ,  杨伟光 ,  胡喆 ,  马磊 ,  袁安东 ,  李杰

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，工作气压为0.3Pa，溅射功率为150W，溅射时间为20min；接着使用快速退火仪，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌的水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液，生长温度为92.5℃，生长时间为2h；最后用管式退火炉，在N2气氛中对ZnO纳米阵列进行退火，温度为400℃，时间为30min。

公开(公告)号：CN104037269A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410254559.7

申请日：2014-06-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  匡华慧 ,  黄璐 ,  金晶 ,  陆舒逸 ,  杨伟光 ,  刘进 ,  明秀春

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/202 ,  H01L21/02686 ,  H01L31/077

Abstract: 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。

公开(公告)号：CN103236452A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310141053.0

申请日：2013-04-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  李季戎 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  王国华 ,  杨伟光 ,  沈春夏

IPC: H01L31/0272 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及硒气氛下对铜锌锡硫薄膜进行硒化处理的方法。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明包括如下步骤:将硒粒和涂覆有铜锌锡硫薄膜的载玻片放入石英管中并抽高真空至5×10-4Pa，用氢氧焰加热管口至熔融并冷却封管。将石英管放入500-550℃的管式退火炉中进行热处理30min，进行铜锌锡硫薄膜的硒化处理。

公开(公告)号：CN102965617A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210469242.6

申请日：2012-11-20

Applicant: 上海大学

Inventor： 刘功龙 ,  马磊 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  吕燕芳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  黄璐

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法，本装置包括油浴加热槽，厚膜原料蒸发管，基板温度控制仪，真空室，磨砂石英顶盖和超声波发生器；多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部，多晶碘化汞粉末蒸发后即沉积于基片的下表面上。本方法为超声波辅助下油浴真空物理气相沉积法的改进。本发明装置结构简单、可重复使用、易于操作、生长腔体成本低廉，基板温度可精确控制；本发明方法制备得到的多晶碘化汞厚膜取向性高，致密性好，晶粒尺寸小，电学性能佳，为多晶碘化汞半导体辐射探测的制备打下了坚实的基础。

公开(公告)号：CN102891217A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210342053.2

申请日：2012-09-17

Applicant: 上海大学

Inventor： 苏青峰 ,  史伟民 ,  王林军 ,  黄健 ,  周平生 ,  李杰 ,  袁安东 ,  钱隽

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开一种金刚石/CdTe薄膜太阳能电池的制备方法，电池结构为硅衬底/p型金刚石/n型CdTe三层结构。该方法具有以下工艺步骤：首先，对硅衬底/p型金刚石薄膜进行清洗预处理和表面修饰与改性，在p型金刚石薄膜上进行n型CdTe薄膜沉积形成异质结，CdTe薄膜沉积结束后进行CdCl2退火处理，刻蚀掉窗口层光吸收区的硅衬底，进行金属接触沉积形成薄膜太阳能电池器件。通过该方法可以实现p型金刚石/n型CdTe薄膜太阳能电池的制备，使用p型金刚石作为窗口层材料和n型CdTe作为吸收层材料制备成异质结太阳能电池，解决了宽禁带p型半导体材料在太阳能电池领域的可用性。

公开(公告)号：CN102800747A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210237891.3

申请日：2012-07-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  袁安东 ,  张月璐 ,  廖阳 ,  杨伟光 ,  李季戎 ,  钱隽 ,  王国华 ,  王晨 ,  韩洋 ,  沈心蔚 ,  陶媛

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C01G9/02 ,  C01G9/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。生长出来的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构可作为铜锌锡硫（CZTS）太阳能电池的窗口层。属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO2导电玻璃（FTO）上溅射ZnO晶种，接着使用真空管式炉，在N2气氛中对晶种进行热处理，温度为400℃，时间为20min。然后通过水热法生长ZnO纳米阵列，生长溶液为0.05mol/L硝酸锌水溶液和0.05mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液。最后，通过水热法硫化生长ZnS壳层结构，生长溶液为0.05~0.50mol/L硫代乙酰胺（TAA）的水溶液，在水热反应釜中硫化1~9小时后取出，然后放入烘箱烘干，即可得到ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构。