-
公开(公告)号：CN108267681B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201611256917.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种可编程电路的模块测试系统，该模块测试系统设置在被测模块与通用互联资源模块之间，该模块测试系统包含：测试控制模块及分别与之连接的接口模块、指令分析模块及数据处理模块；所述的接口模块分别与所述的通用互联资源模块及所述的指令分析模块连接；所述的数据处理模块分别与所述的接口模块及所述的被测模块连接。本发明利用可编程特性，在尽可能少的增加硬件结构的情况下，降低模块测试设计的复杂度，提高测试覆盖率，并具有一定的通用性，适用于不同功能的数字可编程电路模块。
-
公开(公告)号：CN108267681A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611256917.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种可编程电路的模块测试系统，该模块测试系统设置在被测模块与通用互联资源模块之间，该模块测试系统包含：测试控制模块及分别与之连接的接口模块、指令分析模块及数据处理模块；所述的接口模块分别与所述的通用互联资源模块及所述的指令分析模块连接；所述的数据处理模块分别与所述的接口模块及所述的被测模块连接。本发明利用可编程特性，在尽可能少的增加硬件结构的情况下，降低模块测试设计的复杂度，提高测试覆盖率，并具有一定的通用性，适用于不同功能的数字可编程电路模块。
-
公开(公告)号：CN108511029B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201710099765.9
申请日：2017-02-23
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C29/44
Abstract: 本发明公开了一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统，包含：检测模块，用于获取内建自测过程的开始信号；自测试模块，包含：测试波形产生单元，用于产生不同的测试波形及读写控制信号；故障检测单元，用于比较从SRAM阵列的端口中读出的数据与预期数据，若不一致，则产生故障指示信号；存储单元，用于记录读出的数据、预期数据以及读出的数据与预期数据的对比结果；切换单元，用于切换测试的端口；还包含自修复模块，用于根据故障指示信号及对比结果对SRAM阵列进行修复。本发明还公开了一种内建自测和修复方法。本发明将双端口SRAM阵列配置成A端口写B端口读或者B端口写A端口读来测试，保证测试故障覆盖率高，并且测试和修复的效率高。
-
公开(公告)号：CN108511029A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710099765.9
申请日：2017-02-23
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G11C29/44
Abstract: 本发明公开了一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统，包含：检测模块，用于获取内建自测过程的开始信号；自测试模块，包含：测试波形产生单元，用于产生不同的测试波形及读写控制信号；故障检测单元，用于比较从SRAM阵列的端口中读出的数据与预期数据，若不一致，则产生故障指示信号；存储单元，用于记录读出的数据、预期数据以及读出的数据与预期数据的对比结果；切换单元，用于切换测试的端口；还包含自修复模块，用于根据故障指示信号及对比结果对SRAM阵列进行修复。本发明还公开了一种内建自测和修复方法。本发明将双端口SRAM阵列配置成A端口写B端口读或者B端口写A端口读来测试，保证测试故障覆盖率高，并且测试和修复的效率高。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
