公开(公告)号：CN102023172A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910057929.7

申请日：2009-09-22

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈建钢 ,  吴长亮

IPC分类号： G01N23/083 ,  G01N23/223 ,  G01N23/04

摘要： 本发明公开了一种使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，该方法包括使用CVD(化学气相沉积)SiGe(锗硅)标准多层渐变薄膜作为标准样品，使用SIMS(二次离子质谱仪)测定其成分，并作为SiGe的X-射线特征谱(EDS)分析中的标准成分；以及由此获得的能够对SiGe工艺薄膜进行EDS定量分析的技术方法(包括由实验获得的，适用于SiGe工艺薄膜定量分析的Cliff-Lorimer因子，系数KSiGe)。本发明填补了SiGe薄膜项目和X-射线特征谱对材料定量分析的技术空白，其过程简单、可操作性强，大大降低了生产费用，并提高效率。

公开(公告)号：CN102023172B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200910057929.7

申请日：2009-09-22

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈建钢 ,  吴长亮

IPC分类号： G01N23/083 ,  G01N23/223 ,  G01N23/04

摘要： 本发明公开了一种使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法，该方法包括使用CVD(化学气相沉积)SiGe(锗硅)标准多层渐变薄膜作为标准样品，使用SIMS(二次离子质谱仪)测定其成分，并作为SiGe的X-射线特征谱(EDS)分析中的标准成分；以及由此获得的能够对SiGe工艺薄膜进行EDS定量分析的技术方法(包括由实验获得的，适用于SiGe工艺薄膜定量分析的Cliff-Lorimer因子，系数KSiGe)。本发明填补了SiGe薄膜项目和X-射线特征谱对材料定量分析的技术空白，其过程简单、可操作性强，大大降低了生产费用，并提高效率。

公开(公告)号：CN201945488U

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201020663535.4

申请日：2010-12-16

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 周琛杰 ,  时俊亮 ,  吴长亮 ,  赖华平

IPC分类号： G01N1/28

摘要： 本实用新型公开了一种盛装封装级样品的容置器皿，包括网状器皿，网状器皿的顶部设有挂钩。所述网状器皿的空隙尺寸小于封装级小样品的最大尺寸。本实用新型能够防止小样品在开封及开封后的清洗过程中遗失，提高样品开封的成功率，同时能够大大减小样品在冲洗过程中遗失的几率。

公开(公告)号：CN201945493U

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201120007912.3

申请日：2011-01-12

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 芮志贤 ,  吴长亮 ,  赖华平 ,  龚玉梅

IPC分类号： G01N1/32

摘要： 本实用新型公开了一种固定研磨样品的工具，包括底座、样品盘，样品盘设置于底座的底部；样品盘的中心通过样品盘连接杆与底座的中心连接；样品盘通过多个调节螺丝连接底座；底座的顶部中心通过连接螺丝孔连接手指固定器。所述样品盘连接杆包括连接杆，连接杆的顶端与底座固定连接，连接杆的底端设有连接球；所述样品盘的顶部中心设有与连接球相配合的凹槽，样品盘连接杆通过连接球与样品盘的中心活动连接。本实用新型能够提高研磨的均匀度，并且能够避免样品的丢失。