公开(公告)号：CN103682016A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210315724.6

申请日：2012-08-30

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘继全 ,  季伟 ,  许升高

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了一种GaN外延或衬底的制作方法，包括以下步骤：1）在硅衬底上生长缓冲层；2）光刻胶涂布和曝光，在缓冲层上形成定义图形；3）以光刻胶为掩模，刻蚀缓冲层和硅衬底，使硅衬底内部形成多个孔洞；4）去除光刻胶；5）热氧化硅衬底的孔洞内表面，使其被氧化硅覆盖；6）GaN外延生长。该方法可以有效的缓解GaN应力，防止GaN龟裂以及GaN晶格缺陷。

公开(公告)号：CN103633012A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201210287239.2

申请日：2012-08-13

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 成鑫华 ,  许升高 ,  朱东园

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76882 ,  H01L21/76841

摘要： 本发明公开了一种改善硅片翘曲度的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成金属前介质层，在该金属前介质层中形成贯穿金属前介质层的接触孔；步骤二、在所述金属前介质层上和接触孔中淀积一层金属连接层；步骤三、对所述金属连接层进行快速热退火处理；步骤四、进行等离子体刻蚀，去除位于所述金属连接层表面的自然形成的金属自然氧化层；步骤五、在所述金属连接层的上表面淀积氮化钛阻挡层。本发明能有效改善硅片的翘曲度，降低硅片生产流片的难度。

公开(公告)号：CN103633012B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201210287239.2

申请日：2012-08-13

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 成鑫华 ,  许升高 ,  朱东园

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种改善硅片翘曲度的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成金属前介质层，在该金属前介质层中形成贯穿金属前介质层的接触孔；步骤二、在所述金属前介质层上和接触孔中淀积一层金属连接层；步骤三、对所述金属连接层进行快速热退火处理；步骤四、进行等离子体刻蚀，去除位于所述金属连接层表面的自然形成的金属自然氧化层；步骤五、在所述金属连接层的上表面淀积氮化钛阻挡层。本发明能有效改善硅片的翘曲度，降低硅片生产流片的难度。

公开(公告)号：CN103715130A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201210378133.3

申请日：2012-09-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 成鑫华 ,  许升高 ,  程晓华

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0207

摘要： 本发明公开了一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法，包括如下步骤：⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形；所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形；所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的；⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽；⑶对深沟槽进行填充。本发明通过改变深沟槽图形的形状，采用具有旋转对称性的图形或组合图形，保证硅片在对称的方向上的接触界面面积基本相等，从而保证硅片上各个方向的应力对称分布，确保不会在某一个方向上的应力过大。这种方法能够使得硅片各个方向的翘曲度比较均匀，从而极大地改善硅片的翘曲度。

公开(公告)号：CN103715130B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210378133.3

申请日：2012-09-29

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 成鑫华 ,  许升高 ,  程晓华

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明公开了一种改善硅片翘曲度的深沟槽制造方法，包括如下步骤：⑴在硅片上利用光刻掩膜版曝出硅片上所有结构单元的深沟槽图形；所述的单个结构单元内的深沟槽图形是旋转对称图形；所述硅片上所有结构单元排列也是旋转对称的；⑵采用干法刻蚀工艺制作指定的深度和特征尺寸的深沟槽；⑶对深沟槽进行填充。本发明通过改变深沟槽图形的形状，采用具有旋转对称性的图形或组合图形，保证硅片在对称的方向上的接触界面面积基本相等，从而保证硅片上各个方向的应力对称分布，确保不会在某一个方向上的应力过大。这种方法能够使得硅片各个方向的翘曲度比较均匀，从而极大地改善硅片的翘曲度。

公开(公告)号：CN103811317A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210442282.1

申请日：2012-11-07

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 成鑫华 ,  许升高 ,  罗啸

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4933

摘要： 本发明公开了一种改善MOS管的栅极漏电的方法，包含步骤如下：1.1.在硅衬底上形成一层栅极介质层；1.2.在上述的栅极介质层上形成一层掺杂多晶硅层；1.3.在上述的掺杂多晶硅层上形成一层硅化钨层；1.4.在上述的硅化钨层上形成一层低阻金属层；1.5.重复1.3和1.4步骤，直至栅极金属层的厚度满足器件需求；1.6.在上述组合的栅极金属层上形成一层栅极介质隔离层；1.7.利用光刻和各向异性的干法刻蚀形成栅极图形；1.8.栅极图形形成后进行高温热处理；1.9.制作栅极侧墙介质层。该方法避免MOS管的栅极硅化钨层晶粒在高温制程中剧烈增大，改善栅极的侧墙形貌，从而极大地减小栅极漏电。