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公开(公告)号：CN114141694A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111430241.6
申请日：2021-11-29
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： 本发明公开了一种FDSOI高阻结构制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；衬底顶部硅层上形成SAB膜层；SAB膜层上生长接触孔连接层；执行后续设计工艺，形成接触孔。本发明利用FDSOI Wafer具有氧化层和顶部硅层的客观条件，使用Wafer上的顶部硅层加上SAB膜层形成高阻，再通过生产NiSi连接CT形成高阻器件。本发明不仅可以节省HR这张光罩和减少工艺流程，降低生产成本，提高生产效率，而且也可以避免CT Etch工艺存在潜在的缺陷。
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公开(公告)号：CN110211921B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910432593.1
申请日：2019-05-23
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8234
摘要： 本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有集成电路的前段器件结构的半导体衬底；步骤二、依次形成第一氧化层和CESL层；步骤三、形成层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、进行接触孔刻蚀工艺形成接触孔，包括分步骤：步骤51、采用以CESL层为停止层的选择性刻蚀进行第一次刻蚀；步骤52、采用以第一氧化层为停止层的选择性刻蚀进行第二次刻蚀；步骤52、进行第三次刻蚀将接触孔的形成区域剩余的氧化层去除并将前段器件结构的金属硅化物的表面露出。本发明能使各图案对应的接触孔底部的金属硅化物的损耗减少且损耗的一致性提高，从而能减少接触电阻以及防止金属硅化物刻穿导致的结漏电。
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公开(公告)号：CN115910999A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110973280.4
申请日：2021-08-24
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法，提供掺杂的基底；基底上设有接触孔层；接触孔层上设有第一金属层；第一金属层上设有第一金属通孔层；第一金属通孔层上设有第二金属层；接触孔层包含有多个接触孔，多个接触孔与第一金属层连接；第一金属通孔层包含有多个第一通孔；多个第一通孔中填充有金属，多个第一通孔与第二金属层连接。利用E‑beam技术检测第一通孔中金属的填充是否产生断路。提前发现工艺过程中的问题，及时解决，尽快止损。
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公开(公告)号：CN110211921A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910432593.1
申请日：2019-05-23
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8234
摘要： 本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有集成电路的前段器件结构的半导体衬底；步骤二、依次形成第一氧化层和CESL层；步骤三、形成层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、进行接触孔刻蚀工艺形成接触孔，包括分步骤：步骤51、采用以CESL层为停止层的选择性刻蚀进行第一次刻蚀；步骤52、采用以第一氧化层为停止层的选择性刻蚀进行第二次刻蚀；步骤52、进行第三次刻蚀将接触孔的形成区域剩余的氧化层去除并将前段器件结构的金属硅化物的表面露出。本发明能使各图案对应的接触孔底部的金属硅化物的损耗减少且损耗的一致性提高，从而能减少接触电阻以及防止金属硅化物刻穿导致的结漏电。
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