本发明公开了一种FDSOI高阻结构制作方法，包括以下步骤：提供一衬底；衬底顶部硅层上形成SAB膜层；SAB膜层上生长接触孔连接层；执行后续设计工艺，形成接触孔。本发明利用FDSOI Wafer具有氧化层和顶部硅层的客观条件，使用Wafer上的顶部硅层加上SAB膜层形成高阻，再通过生产NiSi连接CT形成高阻器件。本发明不仅可以节省HR这张光罩和减少工艺流程，降低生产成本，提高生产效率，而且也可以避免CT Etch工艺存在潜在的缺陷。