本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有集成电路的前段器件结构的半导体衬底；步骤二、依次形成第一氧化层和CESL层；步骤三、形成层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、进行接触孔刻蚀工艺形成接触孔，包括分步骤：步骤51、采用以CESL层为停止层的选择性刻蚀进行第一次刻蚀；步骤52、采用以第一氧化层为停止层的选择性刻蚀进行第二次刻蚀；步骤52、进行第三次刻蚀将接触孔的形成区域剩余的氧化层去除并将前段器件结构的金属硅化物的表面露出。本发明能使各图案对应的接触孔底部的金属硅化物的损耗减少且损耗的一致性提高，从而能减少接触电阻以及防止金属硅化物刻穿导致的结漏电。