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公开(公告)号：CN114089607B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111436108.1
申请日：2021-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法，包括：提供具有目标图形数据的待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图；基于设计规则，按线宽(W)与间距(S)选择二维版图图形；将二维版图图形按照归类半径R1进行图形匹配；按照半径R2截取二维版图图形，并生成热点检查设计版图；对热点检查设计版图进行改变设计图形目标、光学邻近效应修正；进行工艺偏差图形模拟；进行光刻工艺热点检查并标识各热点；在待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图中匹配热点，获得潜在的光刻工艺之热点；待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图产生光刻工艺热点索引文件。本发明不仅极大缩短了软件计算时间，降低了生产成本，而且能精确定位到版图中的光刻工艺热点。
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公开(公告)号：CN111639472B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202010479608.2
申请日：2020-05-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明提供了一种冗余图形的检测方法，包括：查找长度和宽度符合设计规则的多个图形，得到第一冗余图形；选择第一冗余图形之间的相对距离符合第一预设值的部分作为第一区域；从第一区域内的第一冗余图形之间的间隔部分选出长度和宽度符合第二预设值的多个间隔图形，组成第二区域；选择与第二区域相邻的第一冗余图形作为第二冗余图形；对第二冗余图形中的每个图形向外扩展第一预设值的一半得到第三区域；扩展第三区域，形成第四区域；将第四区域的边界向内收缩得到第五区域；用冗余图形的可添加区域去除所述第五区域，并输出剩余的区域。本发明可以使得冗余图形的添加的检测更加全面，并且还能减少输出结果的数量，从而减少查看结果的时间。
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公开(公告)号：CN106295049B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610694146.X
申请日：2016-08-19
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种多产品共晶圆流片中的几何信息提取方法，包括：第一步骤：产品数据导入；第二步骤：产生产品平面布置图和划片区数据；第三步骤：确定划片区的切割起始点与切割提取范围；第四步骤：确定各共乘产品的切割起始点与切割提取范围；第五步骤：对划片区按照第三步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第六步骤：对各共乘产品按照第四步骤中的切割起始点和切割范围以指定的格点大小独立进行切割和几何信息提取；第七步骤：将第五步骤和第六步骤中产生的独立提取几何信息按照一定关系进行合并，以产生与合并数据提取相同的提取几何信息；第八步骤：将第七步骤中产生的合并几何信息用于可制造性热点检测。
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公开(公告)号：CN106206358B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610828347.4
申请日：2016-09-18
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种降低化学机械抛光工艺热点检测漏报率的方法，包括：第一步骤：执行版图载入；第二步骤：选定格点大小，根据设置的起始点移动步长，并计算两个垂直移动方向上的单方向移动次数；第三步骤：将版图切割起始点(X,Y)按照{(X‑m*s),(Y‑n*s)}进行移动，其中s为起始点移动步长，m和n为整数且初值均为所述单方向移动次数；第四步骤：执行格点几何信息提取；第五步骤：执行化学机械抛光工艺模拟预测；第六步骤：执行热点检测；第七步骤：使得n递增1，在递增1之后的n小于单方向移动次数时，重复第三步骤到第六步骤，或使得m递增1，在递增1之后的m小于单方向移动次数时，使得n递增1，当递增1后的n也小于单方向移动次数时，重复第三步骤到第六步骤。
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公开(公告)号：CN108710772A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810565129.5
申请日：2018-06-04
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5072
摘要： 本发明公开了一种划片区内的监控图形的排布方法，采用于晶圆版图芯片区域内设置一监控区域并对芯片区域及划片区预先填充冗余图形，于所述晶圆版图中的所述芯片区域之间的划片区获取多个监控图形的中心位置及影响区域，获得每一所述影响区域内的所有的所述图形的第二几何特征以及每一所述监控图形内的所有的所述图形的第三几何特征，获得多个几何特征差值比，于所述晶圆版图中保留所述几何特征差值比中的最小值所对应的所述监控图形并删除有重叠的冗余图形。本发明能够确定监控图形位于划片区中的最合理位置，使得监控图形及其所处几何环境与监控区域之间的差异最小，从而提高了设置的监控图形对芯片内部的监控区域的监控精度。
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公开(公告)号：CN107908854A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711102787.2
申请日：2017-11-10
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种用于化学机械研磨工艺模型建模的测试图形，除了包括现有以线/线间隔为组元的单一测试图形结构，还提供一种包括两种组元的双重测试结构。变化双重测试结构中两种组元的密度、线宽、线间距以及周长等几何特征，可以得到差异的目标图形几何特征与周围图形几何特征，从而可以更好的引入目标区域周围图形的几何特征影响，进而提高了化学机械研磨工艺模型的准确性。
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公开(公告)号：CN112102346B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011024116.0
申请日：2020-09-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06T7/13
摘要： 本发明提供了一种提高版图边缘格点的预测准确率的方法，包括：输入版图；从所述版图的第一角开始，以固定的步进尺寸将所述版图依次划分为多个格点，直到所述版图边缘格点小于或等于非边缘格点；如果版图边缘格点小于非边缘格点，则提取版图上从所述第一角开始到边缘格点与非边缘格点的尺寸之差的范围内的几何信息，并将提取的几何信息补充到所述边缘格点内。可以减少版图在边缘格点处的热点误判的情况，提高版图在边缘格点预测的准确率。
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公开(公告)号：CN114089607A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111436108.1
申请日：2021-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法，包括：提供具有目标图形数据的待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图；基于设计规则，按线宽(W)与间距(S)选择二维版图图形；将二维版图图形按照归类半径R1进行图形匹配；按照半径R2截取二维版图图形，并生成热点检查设计版图；对热点检查设计版图进行改变设计图形目标、光学邻近效应修正；进行工艺偏差图形模拟；进行光刻工艺热点检查并标识各热点；在待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图中匹配热点，获得潜在的光刻工艺之热点；待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图产生光刻工艺热点索引文件。本发明不仅极大缩短了软件计算时间，降低了生产成本，而且能精确定位到版图中的光刻工艺热点。
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公开(公告)号：CN106021703B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610326227.4
申请日：2016-05-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明提供了一种版图设计中的权重线宽的提取方法，包括：确定版图设计数据中设计规则允许的最大线宽、最小线宽、版图的最小存储单元单位、以及权重线宽的允许误差；以计算出的线宽对版图设计数据利用缩放法进行提取，得出版图设计数据中所有线宽为计算出的线宽的第一几何图形，同时得出第一几何图形的面积；除去版图设计数据中所有第一几何图形以得到第一版图数据。
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