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公开(公告)号：CN110808220B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201911089034.1
申请日：2019-11-08
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法，晶背扫描仪，包括：用于获取图像的光源扫描器和用于处理晶背图像的光导体；晶背扫描方法，包括：所述光源扫描器获取晶背图像传输给所述光导体；晶背图像转换成电荷数量分布；电荷数量以不同的灰阶度呈现；通过呈现的灰阶度是否异常判断晶背图像是否异常。在本发明提供的晶背扫描仪、晶背扫描方法和晶圆扫描方法中，增加了晶背扫描方法，在晶圆的晶面等待扫描的时候对晶圆的晶背和晶边进行扫描，在不增加工艺时间的同时，提高了晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN109065467B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201811014892.5
申请日：2018-08-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆缺陷检测系统及检测方法和计算机存储介质，所述晶圆缺陷检测方法包括：在晶圆缺陷扫描系统上建立网格坐标系，以扫描获得所述晶圆表面上的各个缺陷以及各个所述缺陷在所述网格坐标系中的坐标；根据所述各个缺陷在所述网格坐标系中的坐标从所述各个缺陷中筛选出第一类缺陷；从所有的所述第一类缺陷中筛选出第二类缺陷；预先设定构成每个所述链式缺陷的缺陷个数，根据所述缺陷个数从所有的所述第二类缺陷中筛选出链式缺陷；以及根据筛选出的所述链式缺陷的数量输出所述链式缺陷的诊断结果。本发明的技术方案能对所述晶圆上的所述链式缺陷进行有效的检测、筛选，以实现对所述链式缺陷的有效的规格管控。
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公开(公告)号：CN109560000B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201811458460.3
申请日：2018-11-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法，首先，根据采集到的晶圆表面的光学图像获取像素网格，获取所述像素网格的灰阶值并划分出灰阶值区间，然后，将所述灰阶值区间与图形密度数据区间进行组合，得到阶梯式灵敏度区域，最后，对所述阶梯式灵敏度区域进行阶梯式缺陷扫描。与现有的缺陷扫描方法相比，该方法可以对缺陷扫描区域进行快速准确的划分，减少了人为操作失误，提高了晶圆缺陷扫描的准确性；进一步的，该方法减少了生产成本，提高了工作效率，改善机台产能。
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公开(公告)号：CN111307819A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010183596.9
申请日：2020-03-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G01N21/88
摘要： 本发明涉及集成电路制造领域，提供了一种晶圆边缘缺陷检测系统，包括：一宽波段的光源及与之相适配的照相机；所述光源经所述晶圆边缘折射后形成一折射图像，所述照相机拍摄所述折射图像中异常的部分。本发明利用宽波段光源的折射成像所体现出的特征，结合智能图像识别系统分析出隐藏在晶圆内部的气泡/空洞，再配合尺寸量测系统得到气泡/空洞的尺寸，在晶圆制造的第一步过程中就对晶圆边缘薄膜剥离等缺陷进行有效监控。
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公开(公告)号：CN104143519B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201410377465.9
申请日：2014-08-01
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 一种产品通孔刻蚀缺陷的检测方法，首先建立被检测产品的通孔导电层测试模块，在该测试模块上沉积有相互连通的且参考被检测产品的图形结构通孔布局尺寸设计的金属线；在建立测试模块的硬掩膜刻蚀工艺中,产品中各通孔在硬掩膜层的各投影所在各区域之间有光阻进行隔离,原来连接各通孔的沟槽结构改进为不连续的沟槽结构或者通孔结构；然后进行绝缘层通孔刻蚀并在通孔中填铜和平坦化；最后应用电子束缺陷扫描仪进行检测；该方法能避免在检测刻蚀不足缺陷时的法拉第杯的影响，同时也克服了在铜平坦化后不能检测到所有通孔缺陷的问题，从而提高了通孔缺陷检测的成功率，以为工艺窗口的优化提供数据参考，为半导体在线制造与良率的提升提供保障。
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公开(公告)号：CN108364882A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810157691.4
申请日：2018-02-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种获取晶圆晶背刮伤来源的方法，包括将生产机台的机械手按照截面宽度的大小进行分组；对晶圆晶背进行颗粒检测，以判断所述晶圆晶背是否刮伤；当所述晶圆晶背发生刮伤时，获取刮痕与所述晶圆圆心之间的最短距离；根据所述刮痕与所述晶圆圆心之间的最短距离判断刮伤所述晶圆晶背的机械手的组别。采用颗粒检测的方法能够快速而准确的判断出晶圆晶背是否刮伤，提高了检测的效率，避免了人工目检的不确定性，将生产机台的机械手进行分组，当晶圆晶背刮伤时，能够快速确定刮伤晶圆晶背的机械手的组别，从而及时有效的找出发生问题的生产机台，避免了批量性不良品的产生，而且减少人力支出，有效的提高了产品的良率和品质。
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公开(公告)号：CN108133900A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711394096.4
申请日：2017-12-21
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开一种缺陷扫描机台及其缺陷自动分类方法，所述缺陷扫描机台包括：GDS数据库建立单元，用于加入GDS数据库，并于数据库中定义不同区域，根据不同区域定义不同类型缺陷；缺陷扫描单元，用于扫描目标晶圆以捕获缺陷；缺陷比对单元，用于于扫描过程中实时将捕获到的缺陷于所述GDS数据库进行比对；缺陷分类单元，根据所述缺陷比对单元的比对结果确定缺陷所处区域，进而根据预先定义确定相应的区域的缺陷类型以实现缺陷的自动分类，本发明实现致命缺陷与非致命缺陷的自动分类。
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公开(公告)号：CN107356460A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710567411.2
申请日：2017-07-12
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本发明提出一种用于聚焦离子束机台提取样品的方法，包括下列步骤：提供欧姆尼探针；使用沉积钨将样品薄片粘连到欧姆尼探针上；通过欧姆尼探针将样品转移到样品载体上；通过聚焦离子束切断的方法将样品和欧姆尼探针分离；在后续制样时，通过第一次残留样品与本次样品进行连接；通过聚焦离子束切断的方法将本次样品和第一次残留样品进行切断。本发明提出的用于聚焦离子束机台提取样品的方法，利用样品和样品之间的连接和切断来提取新的样品，从而避免欧姆尼探针的损耗并延长欧姆尼探针的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104124234B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410357338.2
申请日：2014-07-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型源漏离子注入区，P型源漏离子注入区由P型阱-P型源漏极结构构成，包括：P型阱、P型源漏极、栅极、介质层以及对应于P型源漏极的接触孔；光阻区由P型阱-N型源漏极结构构成包括：P型阱、N型源漏极、栅极、介质层，以及对应于N型源漏极的接触孔；对P型源漏离子注入区和光阻区分别注入P型源漏极离子和N型源漏极离子；经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型源漏离子注入对准度的实时监控，避免P型源漏离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。
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公开(公告)号：CN104124231B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410357174.3
申请日：2014-07-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本发明提供了利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括：P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括：P型阱、栅极、介质层，以及对应于P型阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区注入P型轻掺杂离子；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。
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