一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN109621979B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201811525248.4

    申请日:2018-12-13

    Abstract: 本发明提供一种ZnO/锌铟硫纳米异质结的制备方法,结合原子层沉积和水热的方法,在氟掺杂氧化锡(FTO)基底上实现了ZnIn2S4纳米片阵列结构的原位生长,后采用ALD技术沉积一定厚度的ZnO薄膜,构建了ZnO/ZnIn2S4纳米异质结结构,获得了具有高效可见光催化活性的ZnIn2S4纳米片阵列薄膜的异质结,在提高吸可见光吸收率的同时,使得光生载流子在界面处有效分离,从而大幅提高了光电流密度。本发明制备工艺整体简单可控,绿色环保,可重复性高,适用于规模化制备,在光催化等工程领域具有巨大的应用前景。

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