-
公开(公告)号：CN110491787B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201910773935.6
申请日：2019-08-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法及装置，包括如下步骤：步骤1，在衬底上制备保护膜；步骤2，利用湿法刻蚀，形成湿法槽；步骤3，利用干法刻蚀湿法槽，将湿法槽加工成芯片槽。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：解决了湿法刻蚀中误刻过刻和芯片槽过大定位困难等问题。同时还解决了干法刻蚀芯片槽与芯片中间缝隙过小，导致导电银浆加热时，介质层产生气泡的问题。本发明极大地简化了晶圆级异质集成封装工艺。
-
公开(公告)号：CN113207205A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110395964.0
申请日：2021-04-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H05B6/66
Abstract: 本发明提供了一种基于瞬态电压抑制器的微波防护电路，包括第一防护电路和第二防护电路，所述第一防护电路和第二防护电路是瞬态电压抑制器的组合。本发明将两种瞬态电压抑制器进行组合，利用其遭遇强电磁脉冲冲击时电阻迅速下降，进而吸收大电流保护后续电路的特性，确保后续器件免受瞬态高能量的冲击而损坏；本发明利用两种瞬态电压抑制器的电路模型，通过仿真获得了不同频率下瞬变电压抑制二极管的高频特性，同时得到了它们的动态电阻与输入功率的关系，获得吸收电流的比值，从而显著地提升了被保护器件的功率阈值。
-
公开(公告)号：CN113206196A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110468327.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L49/02 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种基于硅通孔技术的三维MIM电容器及其制备方法，三维MIM电容器包括硅衬底，所述硅衬底上刻蚀盲孔阵列，所述硅衬底表面和盲孔内壁沉积绝缘层，所述绝缘层上依次制作有第一金属层、介质层、第二金属层和种子层，所述盲孔内填充有金属材料作为硅通孔金属层。制备方法包括：采用干法刻蚀技术在硅片表面形成深孔，采用等离子化学气相沉积技术制作绝缘层，采用磁控溅射技术制作种子层，采用电镀工艺对孔进行铜填充，采用化学机械抛光去除多余的铜。本发明有效解决了传统二维MIM电容的电容密度较低的问题，实现了三维MIM电容的制造。
-
公开(公告)号：CN102610891B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201210106075.9
申请日：2012-04-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01Q1/48
Abstract: 本发明公开了一种基于复合左右手折叠基片集成波导的多层双通带耦合器，是一种利用两个复合左右手折叠基片集成波导和公共金属层上蚀刻槽缝进行耦合来实现的双通带耦合器；复合左右手折叠基片集成波导由折叠基片集成波导和其中间金属层上蚀刻的交指槽缝组成；四个相同的共面波导结构两侧有一排金属化通孔，并通过盲孔与带状线连接形成输入输出端口；耦合器采用了折叠基片集成波导技术和宽平面耦合方法，具有结构紧凑、空间利用率高等特点。
-
公开(公告)号：CN102799707A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210189412.5
申请日：2012-06-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种微处理器动态热管理中传感器的控制方法及装置，通过计算模块的功耗数据，并依据此功耗数据获得在此功耗数据下微处理器的温度分布，然后将微处理器的温度分布经过数据处理，以获得微处理器各模块热点分布叠加图，接着计算温度分布的热梯度形成热梯度分布叠加图，并且通过计算热梯度分布叠加图计算热梯度大小比例，并依据此比例分配传感器数量，最终优化微处理器传感器位置，本方案兼顾了热分布重构和热点误差估计，可实现较高的热点误差估计精度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119939863A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411778999.2
申请日：2024-12-05
Applicant: 国网上海电力设计有限公司 , 上海交通大学四川研究院
Abstract: 本申请提供一种基于LLM和RAG的变电站AI辅助设计方法，包括：利用大语言模型LLM进行需求分析，并提取关键信息；使用RAG技术进行知识检索，包括变电站辅助设计知识库构建、变电站辅助设计知识检索和知识重排序；根据所述需求分析和所述知识检索结果，利用所述LLM生成变电站的初步设计方案，所述设计方案包括电气主接线图、设备选型、布局。本申请通过采用上述LLM、RAG和AI辅助设计的结合，可以实现变电站设计效率、标准化和创新的全面提升，克服了现有技术存在的效率低下、标准化不足和创新缺乏的问题。
-
公开(公告)号：CN114784473A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210259834.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于硅基光敏薄膜工艺的双重折叠基片集成波导滤波巴伦，包括：输入输出结构、耦合结构、三角巴伦谐振腔和矩形多模谐振腔；所述矩形多模谐振腔成对设置，所述三角巴伦谐振腔位于一对矩形多模谐振腔之间，且通过耦合结构分别连接两个矩形多模谐振腔，所述输入输出结构包括一个输入部分和两个输出部分，所述输入部分连接三角巴伦谐振腔，两个所述输出部分分别与两个矩形多模谐振腔连接。本发明为平面型多层结构：输入输出采用平面结构，谐振腔采用折叠基片集成波导结构，实现了小型化，三维集成的优势。
-
公开(公告)号：CN110491787A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910773935.6
申请日：2019-08-21
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明湿法干法叠加套刻加工不同深度芯片槽的方法及装置，包括如下步骤：步骤1，在衬底上制备保护膜；步骤2，利用湿法刻蚀，形成湿法槽；步骤3，利用干法刻蚀湿法槽，将湿法槽加工成芯片槽。与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：解决了湿法刻蚀中误刻过刻和芯片槽过大定位困难等问题。同时还解决了干法刻蚀芯片槽与芯片中间缝隙过小，导致导电银浆加热时，介质层产生气泡的问题。本发明极大地简化了晶圆级异质集成封装工艺。
-
公开(公告)号：CN102437400B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110247593.8
申请日：2011-08-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01P1/212
Abstract: 本发明公开一种四阶交叉耦合带通滤波器，包括输入、输出馈线、带阻结构、两个对置的第一、第二谐振器；在第一、第二谐振器的内部耦合了一个双模的第三谐振器；第一和第二谐振器为完全相同的开路环结构，用于实现级间信号的耦合；第三谐振器为一个中心加载谐振器，包括开口型微带线和T型结构，开口型微带线的长度为滤波器中心频率的半波长，第三谐振器内嵌于第一和第二谐振器内，构成交叉耦合；输入、输出馈线分别连接在第一、第二谐振器上；两个相同的带阻结构加在输入、输出馈线上。本发明将一双模谐振器内置于两个相互耦合的半波长谐振器之间，同时采用非对称馈电方式以及增加带阻结构，使得该滤波器具有高频率选择性和宽阻带特性。
-
公开(公告)号：CN100566149C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810039568.9
申请日：2008-06-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H03H7/20
Abstract: 本发明涉及一种电子技术领域的宽带高通相位调节器，其中：第二微带线连接输入端，第二微带线另一端分别与第二变容二极管的阳极连接和第四微带线一端连接，第四微带线另一端接地，第二变容二极管的阴极分别与另一个第一变容二极管的阴极和一根第一微带线一端连接，第一变容二极管和第二变容二极管采用背靠背的连接方法，第一微带线分别与直流电源和两个电容一端连接，两个电容的另一端接地，第一变容二极管的阳极分别与第三微带线和第五微带线一端连接，第五微带线另一端接地，第三微带线另一端接输出。本发明结构简单，易于实现，能够获得较宽带的频率响应和较大的相位调节度，可应用于宽带压控振荡器和功率放大器中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.143 seconds)
