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公开(公告)号：CN111613539B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202010443284.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供了一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法及系统，针对长周期多层介质工艺流程中多次光刻显影金属层氧化剥离，以及长时间电镀导致的介质脱落等现象，提出在衬底金属层之上先旋涂一层较薄的电介质作为保护层，工艺流程到金属顶层再将保护层选择性刻蚀至贯通，溅射电镀金属与底层金属互联；针对制作微小图形光刻显影不彻底导致图形不准的情况，提出在光敏电介质光刻显影图形后，旋涂一层与电介质同性的光刻胶光刻显影(与介质层图形相同)，采用等离子体刻蚀的方法将不准的图形边缘刻蚀去除。本发明有效解决了基于光敏电介质的晶圆级多层三维封装工艺中电介质脱胶和图形精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN114784473B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210259834.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于硅基光敏薄膜工艺的双重折叠基片集成波导滤波巴伦，包括：输入输出结构、耦合结构、三角巴伦谐振腔和矩形多模谐振腔；所述矩形多模谐振腔成对设置，所述三角巴伦谐振腔位于一对矩形多模谐振腔之间，且通过耦合结构分别连接两个矩形多模谐振腔，所述输入输出结构包括一个输入部分和两个输出部分，所述输入部分连接三角巴伦谐振腔，两个所述输出部分分别与两个矩形多模谐振腔连接。本发明为平面型多层结构：输入输出采用平面结构，谐振腔采用折叠基片集成波导结构，实现了小型化，三维集成的优势。
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公开(公告)号：CN111613539A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010443284.7
申请日：2020-05-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供了一种晶圆级三维异质集成器件的多层制备方法及系统，针对长周期多层介质工艺流程中多次光刻显影金属层氧化剥离，以及长时间电镀导致的介质脱落等现象，提出在衬底金属层之上先旋涂一层较薄的电介质作为保护层，工艺流程到金属顶层再将保护层选择性刻蚀至贯通，溅射电镀金属与底层金属互联；针对制作微小图形光刻显影不彻底导致图形不准的情况，提出在光敏电介质光刻显影图形后，旋涂一层与电介质同性的光刻胶光刻显影(与介质层图形相同)，采用等离子体刻蚀的方法将不准的图形边缘刻蚀去除。本发明有效解决了基于光敏电介质的晶圆级多层三维封装工艺中电介质脱胶和图形精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN114784473A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210259834.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于硅基光敏薄膜工艺的双重折叠基片集成波导滤波巴伦，包括：输入输出结构、耦合结构、三角巴伦谐振腔和矩形多模谐振腔；所述矩形多模谐振腔成对设置，所述三角巴伦谐振腔位于一对矩形多模谐振腔之间，且通过耦合结构分别连接两个矩形多模谐振腔，所述输入输出结构包括一个输入部分和两个输出部分，所述输入部分连接三角巴伦谐振腔，两个所述输出部分分别与两个矩形多模谐振腔连接。本发明为平面型多层结构：输入输出采用平面结构，谐振腔采用折叠基片集成波导结构，实现了小型化，三维集成的优势。
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