公开(公告)号：CN105070716B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201510494596.X

申请日：2011-06-21

Applicant: 三重富士通半导体股份有限公司

Inventor： L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  P·E·格雷戈里 ,  S·R·松库沙莱 ,  W·张 ,  S·E·汤普森

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有穿通抑制的先进晶体管和管芯，所述管芯包括：衬底，衬底为单个半导体材料的单晶；多个场效应晶体管结构，由衬底支撑；其中至少一个晶体管结构具有在栅极下方且在所述源极与漏极之间延伸的多个不同的掺杂区域，注入多个掺杂区域来为所述晶体管结构中的至少一个限定p型或n型材料的掺杂剂分布，掺杂剂分布在距离栅极的第一深度处具有峰掺杂剂浓度并且在距离栅极的第二深度处具有第一中间掺杂剂浓度，第一中间掺杂剂浓度低于峰掺杂剂浓度；多个晶体管结构中的每个包括通常由无掺杂的均厚外延生长形成的沟道区域，沟道区域直接位于在单半导体材料的单晶中形成的阈值电压控制区域之上，阈值电压控制区域与第一中间掺杂剂浓度相关。

公开(公告)号：CN103038721B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180035830.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 三重富士通半导体股份有限公司

Inventor： L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  P·E·格雷戈里 ,  S·R·松库沙莱 ,  W·张 ,  S·E·汤普森

IPC: G05F1/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 一种具有穿通抑制的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极，掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱，以及定位在所述栅极下方且具有第二掺杂剂浓度的屏蔽区域。所述第二掺杂剂浓度可以大于5×10个掺杂剂原子/cm。至少一个穿通抑制区域设置在所述栅极下方且在所述屏蔽区域与所述阱之间。所述穿通抑制区域具有介于所述第一掺杂剂浓度与所述第二掺杂剂浓度之间的第三掺杂剂浓度。可以将偏置电压施加到所述阱区域以调节所述晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN105070716A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510494596.X

申请日：2011-06-21

Applicant: 三重富士通半导体股份有限公司

Inventor： L·希弗伦 ,  P·拉纳德 ,  P·E·格雷戈里 ,  S·R·松库沙莱 ,  W·张 ,  S·E·汤普森

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种具有穿通抑制的先进晶体管和管芯，所述管芯包括：衬底，衬底为单个半导体材料的单晶；多个场效应晶体管结构，由衬底支撑；其中至少一个晶体管结构具有在栅极下方且在所述源极与漏极之间延伸的多个不同的掺杂区域，注入多个掺杂区域来为所述晶体管结构中的至少一个限定p型或n型材料的掺杂剂分布，掺杂剂分布在距离栅极的第一深度处具有峰掺杂剂浓度并且在距离栅极的第二深度处具有第一中间掺杂剂浓度，第一中间掺杂剂浓度低于峰掺杂剂浓度；多个晶体管结构中的每个包括通常由无掺杂的均厚外延生长形成的沟道区域，沟道区域直接位于在单半导体材料的单晶中形成的阈值电压控制区域之上，阈值电压控制区域与第一中间掺杂剂浓度相关。