聚硅烷及其制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1098880C

    公开(公告)日:2003-01-15

    申请号:CN98801634.6

    申请日:1998-01-07

    CPC classification number: C08G77/60 C08G63/6954 C08G64/085

    Abstract: 一种用通式(1)所表示的聚硅烷(式中,R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基,R可分别为相同或2个以上不同,羟基的位置为对位或间位,n为2-10000)。这种聚硅烷可作重要的改性聚碳酸酯等的工程塑料原料、抗蚀剂材料、电子摄象感光材料等。

    聚硅烷及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1242783A

    公开(公告)日:2000-01-26

    申请号:CN98801634.6

    申请日:1998-01-07

    CPC classification number: C08G77/60 C08G63/6954 C08G64/085

    Abstract: 一种用通式(1)所表示的聚硅烷(式中,R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基,R可分别为相同或2个以上不同,羟基的位置为对位或间位,n为2—10000)。这种聚硅烷可作重要的改性聚碳酸酯等的工程塑料原料、抗蚀剂材料、电子摄象感光材料等。

    聚硅烷类的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1240459A

    公开(公告)日:2000-01-05

    申请号:CN97180726.4

    申请日:1997-12-26

    CPC classification number: C08G77/60

    Abstract: 一种聚硅烷类的制造方法是通过使由通式(1)所表示的二卤代硅烷在非质子性溶剂中Li盐及金属卤化物共存下与Mg或者Mg合金作用,(式中,m为1—3;R为氢原子、烷基、芳基、烷氧基、氨基或甲硅烷基;m=1时2个R、在m=2时4个R、在m=3时6个R可分别为同一种或者为二种以上不同的;X为卤素原子)形成由通式(2)所表示的聚硅烷,(式中,根据反应原料与上述相同,n为2—1000)。

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