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公开(公告)号：CN103003200A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035585.5
申请日：2011-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C30B30/00 , C01B33/02 , C30B11/003 , C30B28/06 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种能够减少底部的氧浓度局部变高的部分来大幅提高多晶硅的生产成品率的多晶硅锭制造装置、多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭。本发明的多晶硅锭制造装置（10），具有：截面呈矩形的坩埚（20）；配设于该坩埚（20）上方的上部加热器（43）；及配设于坩埚（20）下方的下部加热器（33），且使积存于坩埚（20）内的硅熔融液（3）从其底面（21）朝向上方单向凝固，其特征在于，具备在坩埚（20）的底面（21）侧对坩埚（20）的侧壁部（22）的至少一部分进行加热的辅助加热器（50）。
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公开(公告)号：CN102781832A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011029.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C01B33/02 , C01B33/037 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/002
Abstract: 本发明提供减少底部中的氧浓度高的部分、可大幅提高多晶硅的合格率的多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭。本发明的多晶硅锭的制造方法，为使贮留在坩埚内的硅熔融液自其底面向着上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法，所述坩埚在其侧壁内面及底面内面形成有氮化硅的涂层，将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X的第1区域、自高度X至高度Y的第2区域和高度Y以上的第3区域，该高度X为10mm≤X
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公开(公告)号：CN103003200B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180035585.5
申请日：2011-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C30B30/00 , C01B33/02 , C30B11/003 , C30B28/06 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种能够减少底部的氧浓度局部变高的部分来大幅提高多晶硅的生产成品率的多晶硅锭制造装置、多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭。本发明的多晶硅锭制造装置（10），具有：截面呈矩形的坩埚（20）；配设于该坩埚（20）上方的上部加热器（43）；及配设于坩埚（20）下方的下部加热器（33），且使积存于坩埚（20）内的硅熔融液（3）从其底面（21）朝向上方单向凝固，其特征在于，具备在坩埚（20）的底面（21）侧对坩埚（20）的侧壁部（22）的至少一部分进行加热的辅助加热器（50）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102834354B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201180015881.9
申请日：2011-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C30B11/00 , C01B33/021 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种使硅熔融液从底面向上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法，在坩埚的底面配设有二氧化硅，将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X（10mm≤X＜30mm）的第一区域、自高度X至高度Y（30mm≤Y＜100mm）的第二区域和高度Y以上的第三区域，所述第一区域中的凝固速度V1设定在10mm／h≤V1≤20mm／h的范围内，所述第二区域中的凝固速度V2设定在1mm／h≤V2≤5mm／h的范围内。本发明提供一种通过存在较多朝向（001）和（111）取向的晶体，并且底部中的氧浓度高的部分少，从而能大幅提高作为制品的多晶硅的生产合格率的多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法。
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公开(公告)号：CN102858687A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180013797.3
申请日：2011-03-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C01B33/02 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002
Abstract: 提供能够抑制氧向硅锭中溶解的硅锭铸造用层压坩埚及其制造方法。选择硅锭铸造用层压坩埚（1），该层压坩埚是用于熔解硅原料并进行铸造硅锭的硅锭铸造用层压坩埚，其特征在于，具备：设置在铸模（2）的内侧的二氧化硅层（3），和设置在二氧化硅层（3）的表面的钡涂布层（4）。
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公开(公告)号：CN102781832B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201180011029.4
申请日：2011-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C01B33/02 , C01B33/037 , C30B11/006 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/002
Abstract: 本发明提供减少底部中的氧浓度高的部分、可大幅提高多晶硅的合格率的多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭。本发明的多晶硅锭的制造方法，为使贮留在坩埚内的硅熔融液自其底面向着上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法，所述坩埚在其侧壁内面及底面内面形成有氮化硅的涂层，将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X的第1区域、自高度X至高度Y的第2区域和高度Y以上的第3区域，该高度X为10mm≤X
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公开(公告)号：CN102834354A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180015881.9
申请日：2011-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: C30B11/00 , C01B33/021 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供一种使硅熔融液从底面向上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法，在坩埚的底面配设有二氧化硅，将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X（10mm≤X＜30mm）的第一区域、自高度X至高度Y（30mm≤Y＜100mm）的第二区域和高度Y以上的第三区域，所述第一区域中的凝固速度V1设定在10mm／h≤V1≤20mm／h的范围内，所述第二区域中的凝固速度V2设定在1mm／h≤V2≤5mm／h的范围内。本发明提供一种通过存在较多朝向（001）和（111）取向的晶体，并且底部中的氧浓度高的部分少，从而能大幅提高作为制品的多晶硅的生产合格率的多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法。
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公开(公告)号：CN112334232A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041943.X
申请日：2019-07-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制伴随施加高电压脉冲而受到的来自电极材料的污染的半导体原料的破碎方法或裂纹产生方法及半导体原料块的制造方法。在对配置在液体中的半导体原料施加高电压脉冲而将半导体原料进行破碎的方法或使半导体原料产生裂纹的方法中，朝向被施加高电压脉冲的部分或电极部的周边部中的至少任一方供给新的流体，并从液体中抽吸排出新的流体及液体的一部分。
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