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公开(公告)号：CN113348046B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202080009874.7
申请日：2020-02-04
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： B23K1/00 , B23K1/19 , C22C9/00 , C22C21/00 , H01L23/36 , C22F1/00 , C22F1/08 , B32B15/04 , C04B37/02
摘要： 本发明提供一种铜‑陶瓷接合体的制造方法，其中，铜部件的组成如下：Cu的纯度为99.96质量％以上且剩余部分为不可避免杂质，并且P的含量为2质量ppm以下且Pb、Se及Te的总含量为10质量ppm以下，所述铜‑陶瓷接合体的制造方法具有接合工序，所述接合工序通过将层叠后的所述铜部件与所述陶瓷部件向层叠方向进行加压及加热来接合层叠后的所述铜部件与所述陶瓷部件，将接合前的所述铜部件的平均结晶粒径设为10μm以上，将表示轧制面中晶粒的长径/短径之比的纵横比设为2以下，在所述接合工序中，将向层叠方向的加压荷载设在0.05MPa以上且1.5MPa以下的范围内、将加热温度设在800℃以上且850℃以下的范围内、将加热温度下的保持时间设在10分钟以上且90分钟以下的范围内。
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公开(公告)号：CN111433923A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880078217.0
申请日：2018-12-06
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明的绝缘传热基板的特征在于，具有：热传递层，由铝或铝合金构成；导电层，配设于该热传递层的一个面侧；及玻璃层，形成于所述导电层与所述热传递层之间，所述导电层由银的烧成体构成，所述玻璃层的厚度被设为在5μm以上且50μm以下的范围内。
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公开(公告)号：CN104885214A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380067988.7
申请日：2013-12-20
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H05K1/0271 , C04B37/021 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/86 , H01L23/3735 , H01L23/42 , H01L23/473 , H01L2224/32225 , H05K1/0203 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/248 , H05K3/32 , H05K3/465 , H05K7/14 , H05K2201/066 , H05K2201/09136
摘要： 本发明所涉及的功率模块用基板具备绝缘层(11)、形成于该绝缘层的第一面的电路层(12)、以及形成于所述绝缘层的第二面的金属层(13)，在所述金属层中的与配设有所述绝缘层的面相反侧的一面上，层叠有第一基底层(20)，所述第一基底层具有在与所述金属层的界面所形成的第一玻璃层、以及层叠于该第一玻璃层的第一Ag层。
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公开(公告)号：CN103988297A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060840.6
申请日：2012-12-11
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H05K13/00 , B23K1/20 , C04B35/111 , C04B35/14 , C04B35/46 , C04B35/587 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/63424 , C04B37/025 , C04B37/028 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/606 , C04B2235/95 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/068 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/82 , C04B2237/88 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/467 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/12044 , H05K1/0201 , H05K1/0306 , H05K1/0373 , H05K13/0465 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 本发明的功率模块用基板(10)中，在绝缘层(11)的一个面上形成有电路层(12)，在绝缘层(11)的另一个面上形成有金属层(13)，且在该金属层(13)的另一个面上使用助焊剂接合有被接合体，所述功率模块用基板(10)中，在绝缘层(11)与金属层(13)的接合面的周边部形成有含有氧化物与树脂的助焊剂成分侵入防止层(51)。
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公开(公告)号：CN116784019A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280012046.8
申请日：2022-01-31
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H10N10/817
摘要： 该热电转换模块(10)具有：彼此隔着间隔竖立设置的多个热电转换元件(11)；配设于这些热电转换元件(11)的竖立设置方向的第一端的第一电极部(25)；以及配设于所述竖立设置方向的第二端的第二电极部(35)，多个热电转换元件(11)通过第一电极部(25)及第二电极部(35)电连接，在所述第一端配设有第一绝缘电路基板(20)，所述第一绝缘电路基板(20)具备由陶瓷构成的第一绝缘层(21)及由银的烧成体构成的第一电极部(25)，在所述第二端配设有第二绝缘电路基板(30)，所述第二绝缘电路基板(30)具备由陶瓷或树脂构成的第二绝缘层(31)、由铝或铜构成的缓冲层(34)及第二电极部(35)。
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公开(公告)号：CN108028306B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201680052731.8
申请日：2016-09-14
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明提供一种热电转换模块(1)，其通过在一组对置的配线基板(2A、2B)之间，多个热电转换元件(3、4)以组合的状态经由配线基板(2A、2B)连接，配线基板(2A、2B)在陶瓷基板(11)的其中一个面形成连接于热电转换元件(3、4)且由铝或铝合金形成的电极层(12、13)，至少配置于高温侧的电极层(12)的表面形成有层叠有玻璃层与银层的状态的银基底层(21)，银基底层21的银层接合于热电转换元件(3、4)。
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公开(公告)号：CN110710008A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036600.X
申请日：2018-06-29
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明的热电转换模块(10)具有热电转换元件(11)，在热电转换元件(11)的一端侧配设有第一绝缘电路基板，该第一绝缘电路基板具备第一绝缘层(21)及形成于该第一绝缘层(21)的一个面的第一电极部(25)。第一电极部(25)具有：第一铝层(25a)，由铝或铝合金构成；及第一银烧成层(25b)，形成于该第一铝层(25a)的与第一绝缘层(21)相反的一侧的面且由银的烧成体构成。第一铝层(25a)的厚度设为50μm以上且2000μm以下的范围内。第一银烧成层(25b)中，在至少配置有热电转换元件(11)的区域，第一银烧成层的厚度设为5μm以上，且气孔率设为小于10％。
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公开(公告)号：CN109075081A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021547.1
申请日：2017-02-07
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01L21/52
摘要： 本发明的半导体装置具备：电路层，由导电性材料构成；半导体元件，搭载在电路层的一面；和陶瓷基板，配设在电路层的另一面，在电路层的一面形成有Ag基底层，该Ag基底层具有玻璃层和层压在该玻璃层上的Ag层，该Ag基底层的Ag层和半导体元件直接接合。
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公开(公告)号：CN105849895B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201480070571.0
申请日：2014-12-22
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明以连结Ag层(32)与扩展到Ag层(32)的周围的电路层的暴露部分的方式，形成有细长的槽(35)。槽(35)为从Ag层(32)的表面贯穿玻璃层(31)及铝氧化皮膜(12A)而到达电路层(12)的表面(12a)的细长的凹部。槽(35)中形成有沿着槽(35)的内面(35a)而Ag层(32)的局部被延展的延长部(36)。在槽(35)的形成部分中，Ag层(32)与电路层(12)通过延长部(36)由电阻值较低的Ag直接电连接。
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公开(公告)号：CN105849895A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070571.0
申请日：2014-12-22
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H01L24/29 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32225 , H01L2224/83439 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049
摘要： 本发明以连结Ag层(32)与扩展到Ag层(32)的周围的电路层的暴露部分的方式，形成有细长的槽(35)。槽(35)为从Ag层(32)的表面贯穿玻璃层(31)及铝氧化皮膜(12A)而到达电路层(12)的表面(12a)的细长的凹部。槽(35)中形成有沿着槽(35)的内面(35a)而Ag层(32)的局部被延展的延长部(36)。在槽(35)的形成部分中，Ag层(32)与电路层(12)通过延长部(36)由电阻值较低的Ag直接电连接。
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