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公开(公告)号：CN110352463B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201880014473.3
申请日：2018-02-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种以绝缘被膜包覆横截面形状为矩形的扁平状导体线而成的绝缘电线。绝缘被膜由包覆扁平状导体线的表面的内层及包覆内层的表面的外层构成，在扁平状导体线的矩形的横截面中彼此相对且具有相同长度的两个短边中，包覆一侧短边的内层的厚度(t1)比包覆另一侧短边的内层的厚度(t2)大，内层的弹性模量比外层的弹性模量小或内层的屈服应力比外层的屈服应力小，或者内层的弹性模量及屈服应力均比外层的弹性模量及屈服应力小，其中，t2包含t2＝0。
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公开(公告)号：CN101956232B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201010229761.6
申请日：2010-07-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/02 , C01B33/035 , C23C16/24 , Y10T428/12 , Y10T428/2975
Abstract: 本发明涉及多晶硅的制造方法，其中，对反应炉内的硅芯棒进行通电而使硅芯棒发热，通过对硅芯棒供给包含氯硅烷类的原料气体，从而在硅芯棒的表面使多晶硅析出，作为棒而生长。该多晶硅的制造方法具有：前半部分工序，在以高压大量地供给原料气体的条件下，通过调整向硅芯棒的电流而将表面温度维持在规定范围中，并且在棒的中心温度达到多晶硅的熔点以下的规定温度之前，一边将每单位表面积的原料气体供给量维持规定范围内，一边供给原料气体；以及后半部分工序，通过设定为与棒直径对应地预先决定的电流值，并且使每单位表面积的氯硅烷类供给量降低，从而将棒的表面温度和中心温度维持在规定温度。
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公开(公告)号：CN111801744A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016480.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的绝缘扁平导体(10，20)为具备扁平导体(11)及包覆所述扁平导体(11)的绝缘覆膜(15)的绝缘扁平导体(10，20)，其特征在于，所述扁平导体(11)具有第一面(12a)及与所述第一面(12a)相对的第二面(12b)，所述第一面(12a)与所述第二面(12b)相比更粗糙。
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公开(公告)号：CN113574615B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202080021132.6
申请日：2020-02-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01F5/06 , G01N23/2276 , H01B7/02 , G01N27/62
Abstract: 本发明的绝缘铜线(10)具有铜线及包覆所述铜线的表面的绝缘覆膜(12)，所述绝缘覆膜(12)包含具有酰胺键的高分子材料，在通过剥离所述绝缘覆膜(12)而形成于所述绝缘铜线的表面的剥离面(14)中，与氮原子或碳原子键合的铜原子比与氧原子键合的铜原子多，并且从剥离面(14)沿深度方向形成有含有10原子％以上的氧的含氧层(13)，所述含氧层(13)的膜厚在2nm以上且30nm以下的范围内。电线圈通过卷绕上述绝缘铜线(10)而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111801744B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201980016480.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的绝缘扁平导体(10，20)为具备扁平导体(11)及包覆所述扁平导体(11)的绝缘覆膜(15)的绝缘扁平导体(10，20)，其特征在于，所述扁平导体(11)具有第一面(12a)及与所述第一面(12a)相对的第二面(12b)，所述第一面(12a)与所述第二面(12b)相比更粗糙。
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公开(公告)号：CN113574615A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202080021132.6
申请日：2020-02-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01F5/06 , G01N23/2276 , H01B7/02 , G01N27/62
Abstract: 本发明的绝缘铜线(10)具有铜线及包覆所述铜线的表面的绝缘覆膜(12)，所述绝缘覆膜(12)包含具有酰胺键的高分子材料，在通过剥离所述绝缘覆膜(12)而形成于所述绝缘铜线的表面的剥离面(14)中，与氮原子或碳原子键合的铜原子比与氧原子键合的铜原子多，并且从剥离面(14)沿深度方向形成有含有10原子％以上的氧的含氧层(13)，所述含氧层(13)的膜厚在2nm以上且30nm以下的范围内。电线圈通过卷绕上述绝缘铜线(10)而形成。
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公开(公告)号：CN110352463A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880014473.3
申请日：2018-02-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种以绝缘被膜包覆横截面形状为矩形的扁平状导体线而成的绝缘电线。绝缘被膜由包覆扁平状导体线的表面的内层及包覆内层的表面的外层构成，在扁平状导体线的矩形的横截面中彼此相对且具有相同长度的两个短边中，包覆一侧短边的内层的厚度(t1)比包覆另一侧短边的内层的厚度(t2)大，内层的弹性模量比外层的弹性模量小或内层的屈服应力比外层的屈服应力小，或者内层的弹性模量及屈服应力均比外层的弹性模量及屈服应力小，其中，t2包含t2＝0。
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公开(公告)号：CN110249395A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880010389.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种导体线被绝缘被膜包覆而成的绝缘电线，其中，该绝缘被膜包含5～20质量％的低沸点成分，所述低沸点成分在常压下的沸点小于300℃。该绝缘被膜的厚度优选为40～65μm。另外，导体线的横截面形状优选为矩形或正方形。
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公开(公告)号：CN101956232A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010229761.6
申请日：2010-07-13
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/02 , C01B33/035 , C23C16/24 , Y10T428/12 , Y10T428/2975
Abstract: 本发明涉及多晶硅的制造方法，其中，对反应炉内的硅芯棒进行通电而使硅芯棒发热，通过对硅芯棒供给包含氯硅烷类的原料气体，从而在硅芯棒的表面使多晶硅析出，作为棒而生长。该多晶硅的制造方法具有：前半部分工序，在以高压大量地供给原料气体的条件下，通过调整向硅芯棒的电流而将表面温度维持在规定范围中，并且在棒的中心温度达到多晶硅的熔点以下的规定温度之前，一边将每单位表面积的原料气体供给量维持规定范围内，一边供给原料气体；以及后半部分工序，通过设定为与棒直径对应地预先决定的电流值，并且使每单位表面积的氯硅烷类供给量降低，从而将棒的表面温度和中心温度维持在规定温度。
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