公开(公告)号：CN1291787A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00133357.7

申请日：2000-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  住友化学工业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  横井直树 ,  森田博之 ,  一木直树 ,  根津秀明 ,  高岛正之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/02 ,  C11D1/44 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。该半导体装置用清洗剂含有氢氧化物、水和用下述一般式(1)/或一般式(2)表示的化合物。HO－((EOx－(PO)y)z－H…(1),R－[((EO)x－(PO)y)z－H]m…(2)。

公开(公告)号：CN1145203C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00133357.7

申请日：2000-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  住友化学工业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  横井直树 ,  森田博之 ,  一木直树 ,  根津秀明 ,  高岛正之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/02 ,  C11D1/44 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。根据本发明的一种半导体装置用的清洗剂，其特征是：含有氢氧化物、水和下述一般式(II)表示的化合物或下述一般式(I)和一般式(II)表示的化合物，HO-((EO)x-(PO)y)z-H(I)这里，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，x和y表示满足x/(x+y)＝0.05～0.4的整数，z表示正整数，R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(II)这里，EO、PO、x、y、z的定义与式(I)中的定义相同，R表示醇或胺的除去了氢氧基或氨基中的氢原子的残基、m表示1以上的整数。

公开(公告)号：CN1184715A

公开(公告)日：1998-06-17

申请号：CN97121532.4

申请日：1997-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  大阳东洋酸素株式会社

Inventor： 菅野至 ,  多田益太 ,  小川光博

IPC: B05B7/04 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B7/0433 ,  B05B7/0475 ,  B05B7/0483 ,  B08B3/02

Abstract: 以强力清除附着在半导体基板等上面的微小异物,并不会损伤基板。在将液滴喷射在气体中而清洗掉附着在半导体基板等的表面上的异物的清洗用双流体喷嘴中,将混合加压气体和液体形成液滴的混合部的气体流路的截面积设置成比随着气体一起使液滴加速并喷射在气体中的加速管的流路的截面积要大的形状。此外,将加速管设计成圆形直管形状或者拉瓦尔喷管形状。

公开(公告)号：CN1271767A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00106995.0

申请日：2000-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  岸本产业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  村中诚志 ,  山本博正

IPC: C11D7/32 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/08 ,  C11D7/16 ,  C11D7/3272 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

Abstract: 使用包含作为主要成分的缩合磷酸铵、作为辅助剂的尿素或尿素的变态成分和酸且氢离子浓度在10－4mol/l以上的清洗液除去附着在从半导体衬底2上露出的第2布线层20和埋入金属膜14上的抗蚀剂残渣22a。由此,即使由于无边界布线的缘故,埋入到连接孔中的埋入膜的一部分露出,也能可靠地除去抗蚀剂残渣而不溶解该埋入层或布线层等的导电层。

公开(公告)号：CN1093781C

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN97121532.4

申请日：1997-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  大阳东洋酸素株式会社

Inventor： 菅野至 ,  多田益太 ,  小川光博

IPC: B05B7/04 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B7/0433 ,  B05B7/0475 ,  B05B7/0483 ,  B08B3/02

Abstract: 以强力清除附着在半导体基板等上面的微小异物，并不会损伤基板。在将液滴喷射在气体中而清洗掉附着在半导体基板等的表面上的异物的清洗用双流体喷嘴中，将混合加压气体和液体形成液滴的混合部的气体流路的截面积设置成比随着气体一起使液滴加速并喷射在气体中的加速管的流路的截面积要大的形状。此外，将加速管设计成圆形直管形状或者拉瓦尔喷管形状。

公开(公告)号：CN1418736A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02126520.8

申请日：2002-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅野至

IPC: B05B7/04 ,  B05B15/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B01F3/04049 ,  B01F5/0268 ,  B05B1/265 ,  B05B7/0416 ,  B08B3/02

Abstract: 清洗用双流体喷嘴，其配备有：将从外部供应的两种流体混合制成混合流体用的混合部(21)；用于将从前述混合部(21)接受的上述流体沿指向被清洗物表面的确定加速方向进行加速、沿上述加速方向呈直线状并呈管状的直管部(22)；以及连接到其出口上的弯曲部(23)。弯曲部(23)具有与直管部(22)的内表面连续的内表面。弯曲部(23)的内表面相对于从直管部(22)喷出来的流体通过的空间构成凸状的弯曲的曲面，并向外侧扩展。

公开(公告)号：CN1330402A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01103488.2

申请日：2001-02-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  花王株式会社

Inventor： 村中诚志 ,  菅野至 ,  代田真美 ,  近藤纯二

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G03F7/32

Abstract: 用单一的药液除去全部A1布线工序等中的抗蚀剂残渣。作为抗蚀剂除去或抗蚀剂残渣除去的处理液,使用含有有机酸或其盐和水且pH值小于8的药液。

公开(公告)号：CN1200773C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02126520.8

申请日：2002-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅野至

IPC: B05B7/04

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B01F3/04049 ,  B01F5/0268 ,  B05B1/265 ,  B05B7/0416 ,  B08B3/02

Abstract: 清洗用双流体喷嘴，它配备有：将从外部供应的两种流体混合制成混合流体用的混合部(21)；用于将从前述混合部(21)接受的上述流体沿指向被清洗物表面的确定加速方向进行加速的并沿该加速方向呈直线状并呈管状的直管部(22)；连接到直管部的出口上的弯曲部(23)。弯曲部(23)具有与直管部(22)的内表面连续的内表面。弯曲部(23)的内表面相对于从直管部(22)喷出来的流体通过的空间构成凸状的弯曲的曲面，并向外侧扩展。在根据本发明的清洗装置和半导体装置制造方法中，设有或者采用根据本发明的清洗用双流体喷嘴。