公开(公告)号：CN1145203C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00133357.7

申请日：2000-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  住友化学工业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  横井直树 ,  森田博之 ,  一木直树 ,  根津秀明 ,  高岛正之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/02 ,  C11D1/44 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。根据本发明的一种半导体装置用的清洗剂，其特征是：含有氢氧化物、水和下述一般式(II)表示的化合物或下述一般式(I)和一般式(II)表示的化合物，HO-((EO)x-(PO)y)z-H(I)这里，EO表示氧乙烯基，PO表示氧丙烯基，x和y表示满足x/(x+y)＝0.05～0.4的整数，z表示正整数，R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m(II)这里，EO、PO、x、y、z的定义与式(I)中的定义相同，R表示醇或胺的除去了氢氧基或氨基中的氢原子的残基、m表示1以上的整数。

公开(公告)号：CN1291787A

公开(公告)日：2001-04-18

申请号：CN00133357.7

申请日：2000-10-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  住友化学工业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  横井直树 ,  森田博之 ,  一木直树 ,  根津秀明 ,  高岛正之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/00

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/02 ,  C11D1/44 ,  C11D1/722 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明的主要目的是提供一种不产生布线和埋入导电层的断路的改进的清洗剂。该半导体装置用清洗剂含有氢氧化物、水和用下述一般式(1)/或一般式(2)表示的化合物。HO－((EOx－(PO)y)z－H…(1),R－[((EO)x－(PO)y)z－H]m…(2)。

公开(公告)号：CN1170021A

公开(公告)日：1998-01-14

申请号：CN97113814.1

申请日：1997-06-17

Applicant: 住友化学工业株式会社

Inventor： 田口敏 ,  吉田裕司 ,  根津秀明

IPC: C09D183/00 ,  C09D5/25

CPC classification number: C08J3/095 ,  C08J2383/04 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  C08L2666/34

Abstract: 本发明提供一种含有硅树脂和含缩醛或半缩醛溶剂的液体涂料组合物,该组合物具有优越的贮存稳定性和涂料性能,对于在用于电器设备的基质表面形成含硅涂膜是有效的。该含硅涂膜可满意地用作半导体设备的中间层绝缘膜、均涂膜和保护膜。