公开(公告)号：CN116325104A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180066270.0

申请日：2021-08-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中西学 ,  高山幸一 ,  上野和起

IPC: H01L21/66

Abstract: 试验载台(51)对配置有多个半导体元件(26、27)的晶圆(63)进行固定，并且具有与多个半导体元件(26、27)的正极电连接的正极的作用。恒流源(1、2)向试验载台(51)供给恒流。第1探针(53)将半导体元件(27)的负极与恒流源的负极(42)连接。电极(31、32)配置在试验载台(51)的外周，分别与恒流源(1、2)中的1个恒流源连接，并作为2个电流供给点发挥功能。集电极感测端子(33)配置在试验载台(51)的外周。电压计(3)测定集电极感测端子(33)与恒流源的负极(42)之间的电压。

公开(公告)号：CN112582290B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202011022280.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  野口贵也 ,  伊藤嘉教 ,  生田美和 ,  高山幸一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G01R31/26

公开(公告)号：CN112582290A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011022280.8

申请日：2020-09-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  野口贵也 ,  伊藤嘉教 ,  生田美和 ,  高山幸一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明的目的是提供半导体测试装置，其可同时测试多个半导体装置，即使一部分半导体装置发生问题，也能继续对其他元件特性良好的半导体装置进行测试。本发明所涉及的半导体测试装置将具有漏极电极(7a)(高电压端子)和源极电极(7c)(低电压端子)的半导体装置(7)作为被测试物，具有：电路切断开关(13)(第1开关)，其将电源(1)的低压侧与源极电极(7c)连接；以及漏极源极间开关(14)(第2开关)，其一端与漏极电极(7a)连接，另一端与源极电极(7c)连接。在针对某半导体装置(7)检测出大于或等于基准值的漏电流的情况下，在将与该半导体装置(7)连接的电路切断开关(13)控制为断开后，将漏极源极间开关(14)控制为接通。