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公开(公告)号：CN110582655B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201880003774.6
申请日：2018-04-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F16F15/02
Abstract: 防振装置(1)具有：防振装置可动部(3)，其用于对由于驱动装置可动部(12)的动作而产生的振动进行抑制；防振用速度生成部(4)，其基于驱动装置可动部(12)的目标位置而生成防振用指令速度；复位用速度生成部(6)，其生成用于使防振装置可动部(3)复位至原点位置的复位用指令速度；控制速度生成部(7)，其将由防振用速度生成部(4)生成的防振用指令速度和由复位用速度生成部(6)生成的复位用指令速度相加而生成控制指令速度；以及防振控制部(8)，其基于由控制速度生成部(7)生成的控制指令速度对防振装置可动部(3)进行控制。
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公开(公告)号：CN1411064A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02129858.0
申请日：2002-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C5/025 , G11C7/1006 , G11C2207/105
Abstract: 将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域，将存储器配置于此焊磐外部区域。而且，将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器，分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更，也可以容易地应对，且不论总线接线长度的变更，可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN1228847C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN02129858.0
申请日：2002-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C5/025 , G11C7/1006 , G11C2207/105
Abstract: 将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域，将存储器配置于此焊磐外部区域。而且，将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器，分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更，也可以容易地应对，且不论总线接线长度的变更，可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN110582655A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201880003774.6
申请日：2018-04-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F16F15/02
Abstract: 防振装置(1)具有：防振装置可动部(3)，其用于对由于驱动装置可动部(12)的动作而产生的振动进行抑制；防振用速度生成部(4)，其基于驱动装置可动部(12)的目标位置而生成防振用指令速度；复位用速度生成部(6)，其生成用于使防振装置可动部(3)复位至原点位置的复位用指令速度；控制速度生成部(7)，其将由防振用速度生成部(4)生成的防振用指令速度和由复位用速度生成部(6)生成的复位用指令速度相加而生成控制指令速度；以及防振控制部(8)，其基于由控制速度生成部(7)生成的控制指令速度对防振装置可动部(3)进行控制。
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