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公开(公告)号:CN1411064A
公开(公告)日:2003-04-16
申请号:CN02129858.0
申请日:2002-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C5/025 , G11C7/1006 , G11C2207/105
Abstract: 将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域,将存储器配置于此焊磐外部区域。而且,将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器,分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更,也可以容易地应对,且不论总线接线长度的变更,可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号:CN1228847C
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN02129858.0
申请日:2002-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C5/025 , G11C7/1006 , G11C2207/105
Abstract: 将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域,将存储器配置于此焊磐外部区域。而且,将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器,分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更,也可以容易地应对,且不论总线接线长度的变更,可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。
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