公开(公告)号：CN1225502A

公开(公告)日：1999-08-11

申请号：CN98119457.5

申请日：1998-10-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松冈敬 ,  林一夫 ,  竹野祥瑞 ,  森安雅治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/08 ,  B23K26/082 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  G03F7/70358

Abstract: 提供一种将半导体晶片分割为芯片的方法,它能够用半导体加工领域的激光束在划割多个功能单元,诸如在半导体晶片上构成的半导体电路的同时为从半导体晶片切割多个芯片而高效设置坐标。芯片通过沿着X轴和Y轴以切割间距进给扫描控制装置而被分割,给扫描控制装置指定非划线区的坐标值用于假想划线,同时扫描控制装置按给定间距沿X方向,而后沿Y方向,将激光束扫过半导体晶片,如此照射给定非划线区以外的划线以便形成窄槽并将晶片分割为芯片。

公开(公告)号：CN1230013A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN98119700.0

申请日：1998-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小崎克也 ,  玉置政博 ,  松冈敬

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在背面具有散热用金属层的半导体装置,减少图形化工序,使激光熔断部位的形状良好且可防止第1和第2金属层间的剥离。第1,采用不用掩模对准的光刻胶的整个面的曝光工序可以减少图形化工序;第2,用低熔点的第1金属层和高熔点的第2金属层形成连接半导体装置间的金属层,并从第1金属层一侧开始顺次熔断第1金属层和第2金属层可以得到良好的外观形状;第3,采用防止第2金属层的电镀工序中的电镀供电层氧化,可以防止第2金属层的剥离。