公开(公告)号：CN1230013A

公开(公告)日：1999-09-29

申请号：CN98119700.0

申请日：1998-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小崎克也 ,  玉置政博 ,  松冈敬

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在背面具有散热用金属层的半导体装置,减少图形化工序,使激光熔断部位的形状良好且可防止第1和第2金属层间的剥离。第1,采用不用掩模对准的光刻胶的整个面的曝光工序可以减少图形化工序;第2,用低熔点的第1金属层和高熔点的第2金属层形成连接半导体装置间的金属层,并从第1金属层一侧开始顺次熔断第1金属层和第2金属层可以得到良好的外观形状;第3,采用防止第2金属层的电镀工序中的电镀供电层氧化,可以防止第2金属层的剥离。