-
公开(公告)号：CN101814497B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010151045.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN102569372A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210018553.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底（101）、绝缘膜（14b）、半导体元件（EL）和电阻元件（4t）。半导体衬底（101）具有第一槽部（T1）。绝缘膜（14b）覆盖第一槽部（T1）的内表面。半导体衬底（EL）具有电极（13）。电阻元件（4t）以成为针对流过电极（13）的电流的电阻的方式与电极（13）电连接，且经由绝缘膜（14b）设置在第一槽部（T1）中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN101312192A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810109111.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN107873080B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201580074237.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置评价用工具(20)的导电性的板状的基体(21)，在表面(21a)具有对半导体装置(30)进行载置的载置区域(R1、R2、R3)，在该载置区域(R1、R2、R3)内具有将基体(21)贯穿的贯穿孔(21e)。温度检测元件(22)安装于基体(21)。电极焊盘(23)与温度检测元件(22)电连接，且形成于表面(21a)侧。
-
公开(公告)号：CN107873080A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201580074237.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 半导体装置评价用工具(20)的导电性的板状的基体(21)，在表面(21a)具有对半导体装置(30)进行载置的载置区域(R1、R2、R3)，在该载置区域(R1、R2、R3)内具有将基体(21)贯穿的贯穿孔(21e)。温度检测元件(22)安装于基体(21)。电极焊盘(23)与温度检测元件(22)电连接，且形成于表面(21a)侧。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1655354A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410063838.1
申请日：2004-07-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L24/05 , H01L27/0288 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 提供不使开关损耗显著增大而能抑制栅极电压振荡的IGBT模块。IGBT模块通过连接多个IGBT芯片(100)构成。IGBT芯片(100)通过连接多个单元(1)构成。此单元(1)包括一个IGBT元件(2)。IGBT元件(2)的栅极(G)中通过栅极焊盘(3)与栅极电阻(4)，由共同的栅极端子供给栅极电压。IGBT元件(2)的发射极(E)中通过发射极焊盘(5)由共同的发射极端子供给发射极电压。IGBT元件(2)的集电极(C)中则从共同的集电极端子供给集电极电压。在各个单元(1)中设有栅极焊盘(3)、栅极电极(4)与发射极焊盘(5)。
-
公开(公告)号：CN102569372B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210018553.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底（101）、绝缘膜（14b）、半导体元件（EL）和电阻元件（4t）。半导体衬底（101）具有第一槽部（T1）。绝缘膜（14b）覆盖第一槽部（T1）的内表面。半导体衬底（EL）具有电极（13）。电阻元件（4t）以成为针对流过电极（13）的电流的电阻的方式与电极（13）电连接，且经由绝缘膜（14b）设置在第一槽部（T1）中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN101312192B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810109111.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN101814497A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010151045.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN1477771A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03132898.9
申请日：2003-07-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 望月浩一
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H03K17/0828
Abstract: 提供一种抑制使用IGBT的功率组件的负载短路等时的过电流，防止功率组件内的IGBT的热破坏的栅极驱动电路。将在主电流电路布线17的周围呈电气绝缘状态缠绕的线圈部18组装连接在IGBT10的栅极布线16的一部分上，将线圈部的一端连接在栅极端子12上，将另一端通过栅极驱动电流抑制用电阻RG连接在栅极偏压电源15上，只基于IGBT的主电流产生感应电动势构成线圈部18，通过使用对应于主电流随时间变化的线圈部的电动势控制栅极，在负载短路等时实时地抑制主电流随时间的变化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
