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公开(公告)号：CN101814497B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010151045.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569372A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210018553.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底（101）、绝缘膜（14b）、半导体元件（EL）和电阻元件（4t）。半导体衬底（101）具有第一槽部（T1）。绝缘膜（14b）覆盖第一槽部（T1）的内表面。半导体衬底（EL）具有电极（13）。电阻元件（4t）以成为针对流过电极（13）的电流的电阻的方式与电极（13）电连接，且经由绝缘膜（14b）设置在第一槽部（T1）中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101312192A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810109111.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102569372B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210018553.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底（101）、绝缘膜（14b）、半导体元件（EL）和电阻元件（4t）。半导体衬底（101）具有第一槽部（T1）。绝缘膜（14b）覆盖第一槽部（T1）的内表面。半导体衬底（EL）具有电极（13）。电阻元件（4t）以成为针对流过电极（13）的电流的电阻的方式与电极（13）电连接，且经由绝缘膜（14b）设置在第一槽部（T1）中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101312192B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810109111.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101814497A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010151045.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置具有半导体衬底(101)、绝缘膜(14b)、半导体元件(EL)和电阻元件(4t)。半导体衬底(101)具有第一槽部(T1)。绝缘膜(14b)覆盖第一槽部(T1)的内表面。半导体衬底(EL)具有电极(13)。电阻元件(4t)以成为针对流过电极(13)的电流的电阻的方式与电极(13)电连接，且经由绝缘膜(14b)设置在第一槽部(T1)中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。
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