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公开(公告)号:CN1157481A
公开(公告)日:1997-08-20
申请号:CN96122604.8
申请日:1996-10-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/50 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49572 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/50 , H01L2224/73211 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 本发明公开了散热性质与电性质有了改进的适用于具有一批电极的半导体器件及其制造方法。使上面形成有隆起部的半导体晶片的表面与上面形成有焊盘的电路基片相互面对。由聚酰亚胺带与TAB引线组成TAB带。隆起部与焊盘通过扁平的TAB带相互电连。焊盘通过电路基片中的互连线与内部连接电极电连。从隆起部延伸到焊盘的TAB引线的长度减小,因而使通过TAB引线的信号能改进电特性。TAB带的应用可使此半导体器件适用于具有多个隆起部的半导体晶片。
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公开(公告)号:CN1058109C
公开(公告)日:2000-11-01
申请号:CN96103623.0
申请日:1996-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/057 , H01L23/13 , H01L23/642 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体器件,包括基板,基板上具有安装半导体元件的空腔和在腔的周边上的下降台阶表面,用于在其上边装配片状部件。半导体元件和片状部件易于由导体连到外部电路上。基板上加盖并把密封材料灌注到盖和基板之间的空间中使腔密封,并沿着腔的整个周边延伸的下降台阶表面上使片状部件包封。盖可以包括用于紧靠到下降台阶表面侧壁上的凸出,或者下降台阶表面可包括一个侧壁,侧壁有用于紧靠到盖的周边上的凸出。还可有附加到半导体元件上的散热器。
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公开(公告)号:CN1112724C
公开(公告)日:2003-06-25
申请号:CN96122604.8
申请日:1996-10-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/50 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/49572 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/91 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/50 , H01L2224/73211 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 本发明公开了散热性质与电性质有了改进的适用于具有一批电极的半导体器件及其制造方法。使上面形成有隆起部的半导体晶片的表面与上面形成有焊盘的电路基片相互面对。由聚酰亚胺带与TAB引线组成TAB带。隆起部与焊盘通过扁平的TAB带相互电连。焊盘通过电路基片中的互连线与内部连接电极电连。从隆起部延伸到焊盘的TAB引线的长度减小,因而使通过TAB引线的信号能改进电特性。TAB带的应用可使此半导体器件适用于具有多个隆起部的半导体晶片。
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公开(公告)号:CN1138215A
公开(公告)日:1996-12-18
申请号:CN96103623.0
申请日:1996-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/057 , H01L23/13 , H01L23/642 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/16195 , H01L2924/19041 , Y10S257/924 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体装置,它有一个基板,基板中有一用于并在其中装半导体器元件的空腔和在腔的周边上的降下台阶表面,用于并在其上边装配片状部件。装配在半导体器件和片状部件易于由导体连到外部电路上。基板上加盖并把密封材料灌注到盖和基板之间的空间中使腔密封,并在可以沿着腔的整个周边延伸的降下台阶表面上使片状部件封成囊状包。盖可以包括一个用于紧靠到降下台阶表面侧壁上的凸出,或者降下台阶表面可包括一个侧壁,侧壁有一用于紧靠到盖的周边上的凸出。还可有附加到半导体器件上的散热器。
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