公开(公告)号：CN118648094A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202280088906.6

申请日：2022-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大仲崇之 ,  深尾哲宏

IPC: H01L21/66

Abstract: 器件检查装置(50)具备：多个探头(3)；检查部(4)，其测定每个半导体器件(2)的检查值数据(data1)；存储部(16)，其对包括检查值数据(data1)以及半导体器件(2)的判定结果(data2)在内的检查结果数据(data3)进行存储；以及解析部(15)，其通过基于记录于存储部(16)的每个检查项目中存在的多个检查结果数据(data3)的统计处理，来解析每个探头(3)的多个检查结果数据(data3)之间是否存在显著差异，在存在显著差异的情况下判定为该探头(3)异常。

公开(公告)号：CN115411002A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210555456.9

申请日：2022-05-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大仲崇之 ,  矢野佑树

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/10 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够抑制壳体与金属基座之间的粘接所用的粘接剂的润湿扩展，确保将在壳体与金属基座之间产生的间隙填埋所需的粘接剂的高度位置的技术。半导体装置具有：金属基座(1)；绝缘基板(2)，其配置于金属基座(1)之上；半导体元件(4)，其搭载于绝缘基板(2)之上；以及壳体(7a)，其以将绝缘基板(2)及半导体元件(4)的侧面包围的方式粘接于金属基座(1)之上，在金属基座(1)之上的周缘部设置有凸起状的成对的金属氧化膜(8)，壳体(7a)通过在成对的金属氧化膜(8)之间的区域配置的粘接剂(5)而粘接于金属基座(1)。